ZHCSCP6B January   2014  – April 2024 CSD19501KCS

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Information
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 第三方产品免责声明
    2. 5.2 Documentation Support
      1. 5.2.1 Related Documentation
    3. 5.3 接收文档更新通知
    4. 5.4 支持资源
    5. 5.5 Trademarks
    6. 5.6 静电放电警告
    7. 5.7 术语表
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical Data

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • KCS|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

这款 80V、5.5mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

CSD19501KCS CSD19501KCS
产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 80 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 38 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 5.8 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 6.2 mΩ
VGS = 10V 5.5 mΩ
VGS(th) 阈值电压 2.6 V
订购信息(1)
器件封装介质数量运输
CSD19501KCSTO-220 塑料封装管装50管装
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C值单位
VDS漏源电压80V
VGS栅源电压±20V
ID持续漏极电流（受封装限制）100A
持续漏极电流（受器件限制），TC = 25°C 时测得129
持续漏极电流（受器件限制），TC = 100°C 时测得91
IDM脉冲漏极电流(1)305A
PD功率耗散217W
TJ、
Tstg		工作结温和
贮存温度范围		-55 至 175°C
EAS雪崩能量，单脉冲
ID = 65A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		211mJ
(1) 最大 RθJC = 0.7，脉冲持续时间 ≤100μs，占空比 ≤1%
CSD19501KCS RDS(on) 与 VGS 之间的关系RDS(on) 与 VGS 之间的关系
CSD19501KCS 栅极电荷栅极电荷