ZHCSEU7A March 2016 – March 2017 CSD18542KTT
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- D2PAK 塑料封装
2 应用
- 直流 - 直流转换
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
3 说明
这款 60V、3.3mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
产品概要
| TA=25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 60 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 44 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 6.9 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 4.0 | mΩ |
| VGS = 10V | 3.3 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.8 | V | |
器件信息(1)
| 器件 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD18542KTT | 500 | 13 英寸卷带 | D2PAK 塑料封装 |
卷带封装 |
| CSD18542KTTT | 50 |
- 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
| TA=25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 60 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 200 | A |
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 | 170 | ||
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 100°C 时测得 | 120 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(1) | 400 | A |
| PD | 功率耗散 | 250 | W |
| TJ， Tstg |
工作结温， 储存温度 |
-55 至 175 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单一脉冲 ID = 75A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
281 | mJ |
- 最大 RθJC = 0.6°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
RDS(on) 与 VGS 间的关系 |
栅极电荷 |