ZHCSAE0B October 2012 – March 2024 CSD18504KCS
PRODUCTION DATA
3 说明
这款 40V、5.5mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 40 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 19 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 3.5 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 8.0 | mΩ |
| VGS = 10V | 5.5 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.9 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 封装 | 介质 | 数量 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD18504KCS | TO-220 塑料封装 | 管装 | 50 | 管装 |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源极电压 | 40 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制），TC = 25°C | 100 | A |
| 持续漏极电流（受器件限制），TC = 25°C 时测得 | 89 | ||
| 持续漏极电流（受器件限制），TC = 100°C 时测得 | 63 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(1) | 238 | A |
| PD | 功率耗散 | 115 | W |
| TJ， Tstg | 工作结温和 贮存温度范围 | -55 至 175 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 42A，L = 0.1mH，RG = 25Ω | 88 | mJ |
(1) 最大 RθJC = 1.3°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
 RDS(on) 与 VGS 之间的关系 |
 栅极电荷 |