ZHCSAN0C November   2012  – January 2015 CSD16556Q5B

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 商标
    2. 6.2 静电放电警告
    3. 6.3 术语表
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5B 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模板布局
    4. 7.4 Q5B 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DNK|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 超低电阻
  • 超低 Qg和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

2 应用范围

  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化

3 说明

这款 25V、0.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。

顶视图
CSD16556Q5B P0093-01_LPS198.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 25 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 36 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 12 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5 V 1.2 mΩ
VGS = 10V 0.9 mΩ
VGS(th) 阈值电压 1.4 V

。
订购信息(1)

器件 介质 数量 封装 出货
CSD16556Q5B 13 英寸卷带 2500 SON 5mm x 6mm 塑料封装 卷带封装
CSD16556Q5BT 7 英寸卷带 250
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 25 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 100 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 263
持续漏极电流(1) 40 A
IDM 脉冲漏极电流(2) 400 A
PD 功率耗散(1) 3.2 W
功率耗散，TC = 25°C 191
TJ，
Tstg		 运行结温和
储存温度范围		 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单一脉冲
ID = 103A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 530 mJ
  1. RθJA=40°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的一英寸2(6.45cm2)，2 盎司（厚度 0.071mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 1.3°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

RDS(on) 与 VGS 间的关系

CSD16556Q5B graph07_SLPS431.png

栅极电荷

CSD16556Q5B graph04_SLPS431.png