ZHCSXQ1 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSXQ1G November 1998 – January 2025 CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147

PRODUCTION DATA

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

4.4 电气特性

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）

参数		测试条件		V_CC (V)	25°C			-40°C 至 85°C		-55°C 至 125°C		单位
参数		V_I (V)	I_O(mA)	V_CC (V)	最小值	典型值	最大值	最小值	最大值	最小值	最大值	单位
HC 类型
V_IH	高电平输入电压			2	1.5			1.5		1.5		V
				4.5	3.15			3.15		3.15		V
				6	4.2			4.2		4.2		V
V_IL	低电平输入电压			2			0.5		0.5		0.5	V
				4.5			1.35		1.35		1.35	V
				6			1.8		1.8		1.8	V
V_OH	高电平输出电压 CMOS 负载	V_IH 或 V_IL	-0.02	2	1.9			1.9		1.9		V
			-0.02	4.5	4.4			4.4		4.4		V
			-0.02	6	5.9			5.9		5.9		V
	高电平输出电压 TTL 负载		-4	4.5	3.98			3.84		3.7		V
	高电平输出电压 TTL 负载		-5.2	6	5.48			5.34		5.2		V
V_OL	低电平输出电压 CMOS 负载	V_IH 或 V_IL	0.02	2			0.1		0.1		0.1	V
			0.02	4.5			0.1		0.1		0.1	V
			0.02	6			0.1		0.1		0.1	V
	低电平输出电压 TTL 负载		4	4.5			0.26		0.33		0.4	V
	低电平输出电压 TTL 负载		5.2	6			0.26		0.33		0.4	V
I_I	输入漏电流	V_CC 或 GND		6			±0.1		±1		±1	µA
I_CC	静态器件电流	V_CC 或 GND	0	6			8		80		160	µA
HCT 类型
V_IH	高电平输入电压			4.5 至 5.5	2			2		2		V
V_IL	低电平输入电压			4.5 至 5.5			0.8		0.8		0.8	V
V_OH	高电平输出电压 CMOS 负载	V_IH 或 V_IL	-0.02	4.5	4.4			4.4		4.4		V
V_OH	高电平输出电压 TTL 负载	V_IH 或 V_IL	-4	4.5	3.98			3.84		3.7		V
V_OL	低电平输出电压 CMOS 负载	V_IH 或 V_IL	0.02	4.5			0.1		0.1		0.1	V
V_OL	低电平输出电压 TTL	V_IH 或 V_IL	4	4.5			0.26		0.33		0.4	V
I_I	输入漏电流	V_CC 和 GND	0	5.5			±0.1		±1		±1	µA
I_CC	静态器件电流	V_CC 或 GND	0	5.5			8		80		160	µA
∆ICC⁽¹⁾	每个输入引脚的附加静态器件电流：1 个单位负载	V_CC - 2.1		4.5 至 5.5		100	360		450		490	µA

(1) 除非另有说明，否则 V_I = V_IH 或 V_IL。

输入	单位负载⁽¹⁾
I₁、I₂、I₃、I₆、I₇	1.1
I₄、I₅、I₈、I₉	1.5

(1) 单位负载为直流电气规格表中指定的 ΔI_CC 限值（例如，25^°C 时最大值为 360µA）。