ZHDS375F December   2008  – August 2026

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值 #GUID-4430518C-46E5-4467-8224-12E6F82A6B20/AMR001
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 I2C 时序要求
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 IRQ 功能
      2. 6.3.2 VBACK 切换
      3. 6.3.3 涓流充电
    4. 6.4 器件功能模式
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 I2C 串行接口
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 进入备用模式后的 I2C 读取
    2. 7.2 常规寄存器说明
      1. 7.2.1  SECONDS 寄存器（地址 = 0x00）[复位 = 0XXXXXXb]
      2. 7.2.2  MINUTES 寄存器（地址 = 0x01）[复位 = 1XXXXXXb]
      3. 7.2.3  CENT_HOURS 寄存器（地址 = 0x02）[复位 = XXXXXXXXb]
      4. 7.2.4  DAY 寄存器（地址 = 0x03）[复位 = 00000XXXb]
      5. 7.2.5  DATE 寄存器（地址 = 0x04）[复位 = 00XXXXXXb]
      6. 7.2.6  MONTH 寄存器（地址 = 0x05）[复位 = 000XXXXXb]
      7. 7.2.7  YEARS 寄存器（地址 = 0x06）[复位 = XXXXXXXXb]
      8. 7.2.8  CAL_CFG1 寄存器（地址 = 0x07）[复位 = 10000000b]
      9. 7.2.9  TCH2 寄存器（地址 = 0x08）[复位 = 10010000b]
      10. 7.2.10 CFG2 寄存器（地址 = 0x09）[复位 = 10101010b]
    3. 7.3 特殊功能寄存器
      1. 7.3.1 SF KEY 1 寄存器（地址 = 0x20）[复位 = 00000000b]
      2. 7.3.2 SF KEY 2 寄存器（地址 = 0x21）[复位 = 00000000b]
      3. 7.3.3 SFR 寄存器（地址 = 0x22）[复位 = 00000000b]
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 从寄存器读取
        2. 8.2.2.2 闰年补偿
        3. 8.2.2.3 利用备用电源
        4. 8.2.2.4 晶体输入校准示例
        5. 8.2.2.5 计算超级电容器值的示例
      3. 8.2.3 应用曲线
    3.     电源相关建议
    4. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
      2. 8.3.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
    2. 9.2 社区资源
    3. 9.3 商标
  11. 10修订历史记录
  12.   机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.1 布局指南

VCC 引脚必须使用低 ESR 陶瓷旁路电容器旁路至 GND，推荐最小容值为 1µF。该电容器必须尽可能靠近 VCC 和 GND 引脚放置，并通过较宽的走线或接地平面与器件 GND 引脚相连。

将 32.768kHz 晶体振荡器尽可能靠近 OSCI 和 OSCO 引脚放置。这样可以最大限度地减小杂散电容。