ZHCSAB5K September   2012  – June 2026 BQ2947

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 引脚详情
        1. 7.3.1.1 输入感测电压，Vx
        2. 7.3.1.2 输出驱动，OUT
        3. 7.3.1.3 电源电压，VDD
        4. 7.3.1.4 外部延迟电容器 CD
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 正常模式
      2. 7.4.2 过压模式
      3. 7.4.3 客户测试模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 高电平有效的应用配置
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

所述典型值的条件是 TA = 25℃ 且 VDD = 14.4V，最小值/最大值的条件是 TA = –40℃ 至 +110℃ 且 VDD = 3V 至 20V（除非另有说明）。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电压保护阈值
VOV V(PROTECT) 过压检测 BQ294700，RIN = 1kΩ 4.350 V
BQ294701，RIN = 1kΩ 4.250 V
BQ294702，RIN = 1kΩ 4.300 V
BQ294703，RIN = 1kΩ 4.325 V
BQ294704，RIN = 1kΩ 4.400 V
BQ294705，RIN = 1kΩ 4.450 V
BQ294706，RIN = 1kΩ 4.550 V
BQ294707，RIN = 1kΩ 4.225 V
BQ294708，RIN = 1kΩ 4.500 V
BQ294711，RIN = 1kΩ 4.220 V
BQ294712，RIN = 1kΩ 4.125 V
BQ294713，RIN = 1kΩ 4.600 V
BQ294715，RIN = 1kΩ 3.975 V
VHYS OV 检测迟滞 BQ2947(1) 250 300 400 mV
VOA OV 检测精度 TA = 25°C -10 10 mV
VOADRIFT 整个温度范围内的 OV 检测精度 TA = -40°C -40 40 mV
TA = 0°C -20 20 mV
TA = 60°C -24 24 mV
TA = 110°C -54 54 mV
电源和漏电流
IDD 电源电流 (V4V3) = (V3V2) = (V2V1) = (V1–VSS) = 4.0V (TA = 25°C)（请参阅 图 7-4。） 1 2 µA
IIN Vx 引脚处的输入电流 (V4V3) = (V3V2) = (V2V1) = (V1–VSS) = 4.0V (TA = 25°C)（请参阅 图 7-4。） -0.1 0.1 µA
ICELL 输入电流（所有 Vx 和 VDD 输入引脚） 断电时的电流消耗，(V4V3) = (V3V2) = (V2V1) = (V1–VSS) = 2.30V (TA = 25°C

)		 1.1 µA
输出驱动 OUT，仅限 CMOS 高电平有效版本
VOUT 输出驱动电压（高电平有效） (V4V3)、(V3V2)、(V2V1) 或 (V1–VSS) > VOV，VDD = 14.4V，IOH = 100µA 6 V
如果四个电芯中的三个发生短路，则只有一个电芯保持通电状态且 > VOV，VDD =Vx（电芯电压），IOH = 100µA VDD – 0.3 V
(V4V3)、(V3V2)、(V2V1) 和 (V1–VSS) < VOV，VDD = 14.4V，IOL = 100µA，通过流入 OUT 引脚测得。 250 400 mV
IOUTH OUT 拉电流（OV 期间） (V4V3)、(V3V2)、(V2V1) 或 (V1–VSS) > VOV，VDD = 14.4V，OUT = 0V，
通过流出 OUT 引脚的电流测得。		 4.5 mA
IOUTL OUT 灌电流（无 OV） (V4V3)、(V3V2)、(V2V1) 和 (V1–VSS) < VOV，VDD = 14.4V，OUT = VDD，
通过流入 OUT 引脚的电流测得。拉电阻 RPU = 5kΩ 至 VDD = 14.4V		 0.5 14 mA
输出驱动 OUT，CMOS 开漏仅限低电平有效版本
VOUT 输出驱动电压（高电平有效） (V4V3)、(V3V2)、(V2V1) 和 (V1–VSS) < VOV，VDD = 14.4V，IOL = 100µA，通过流入 OUT 引脚测得。 250 400 mV
IOUTL OUT 灌电流（无 OV） (V4V3)、(V3V2)、(V2V1) 和 (V1–VSS) < VOV，VDD = 14.4V，OUT = VDD，
通过流入 OUT 引脚的电流测得。上拉电阻器 RPU = 5kΩ 至 VDD = 14.4V		 0.5 14 mA
IOUTLK OUT 引脚漏电流 (V4V3)、(V3V2)、(V2V1) 和 (V1–VSS) < VOV，VDD = 14.4V，OUT = VDD，
通过流入 OUT 引脚的电流测得。		 100 nA
延迟计时器
tCD OV 延迟时间 CCD = 0.1µF（参阅 外部延迟电容器 CD） 1 1.5 2 s
tCD_GND OV 延迟时间（CD 引脚 = 0V 时） 客户测试模式下由于 CCD 电容器接地短路而导致的延迟 20 170 ms
(1) 关于未来的选项，请联系 TI。