ZHCSIH5C june   2018  – may 2023 BQ25713 , BQ25713B

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 说明（续）
  7. 6 器件比较表
  8. 7 引脚配置和功能
  9. 8 规格
    1. 8.1 绝对最大额定值
    2. 8.2 ESD 等级
    3. 8.3 建议运行条件
    4. 8.4 热性能信息
    5. 8.5 电气特性
    6. 8.6 时序要求
    7. 8.7 典型特性
  10. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能模块图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1  从不带直流电源的电池上电
      2. 9.3.2  仅电池模式下的 Vmin 主动保护 (VAP)
      3. 9.3.3  从直流电源上电
        1. 9.3.3.1 CHRG_OK 指示器
        2. 9.3.3.2 输入电压和电流限制设置
        3. 9.3.3.3 电池电芯配置
        4. 9.3.3.4 器件高阻态状态
      4. 9.3.4  USB On-The-Go (OTG)
      5. 9.3.5  转换器运行
        1. 9.3.5.1 通过 IADPT 引脚检测电感
        2. 9.3.5.2 连续导通模式 (CCM)
        3. 9.3.5.3 脉冲频率调制 (PFM)
      6. 9.3.6  电流和功率监控器
        1. 9.3.6.1 高精度电流检测放大器（IADPT 和 IBAT）
        2. 9.3.6.2 高精度功率检测放大器 (PSYS)
      7. 9.3.7  输入源动态电源管理
      8. 9.3.8  两级适配器电流限制（峰值功率模式）
      9. 9.3.9  处理器热量指示
        1. 9.3.9.1 低功耗模式期间的 PROCHOT
        2. 9.3.9.2 PROCHOT 状态
      10. 9.3.10 器件保护
        1. 9.3.10.1 看门狗计时器
        2. 9.3.10.2 输入过压保护 (ACOV)
        3. 9.3.10.3 输入过流保护 (ACOC)
        4. 9.3.10.4 系统过压保护 (SYSOVP)
        5. 9.3.10.5 电池过压保护 (BATOVP)
        6. 9.3.10.6 电池短路
        7. 9.3.10.7 系统短路断续模式
        8. 9.3.10.8 热关断 (TSHUT)
    4. 9.4 器件功能模式
      1. 9.4.1 正向模式
        1. 9.4.1.1 采用窄 VDC 架构的系统电压调节
        2. 9.4.1.2 电池充电
      2. 9.4.2 USB On-The-Go
      3. 9.4.3 直通模式 (PTM)
    5. 9.5 编程
      1. 9.5.1 I2C 串行接口
        1. 9.5.1.1 数据有效性
        2. 9.5.1.2 START 和 STOP 条件
        3. 9.5.1.3 字节格式
        4. 9.5.1.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 9.5.1.5 从器件地址和数据方向位
        6. 9.5.1.6 单独读取和写入
        7. 9.5.1.7 多重读取和多重写入
        8. 9.5.1.8 写入 2 字节 I2C 命令
    6. 9.6 寄存器映射
      1. 9.6.1  设置充电和 PROCHOT 选项
        1. 9.6.1.1 ChargeOption0 寄存器（I2C 地址 = 01/00h）[复位 = E70Eh]
        2. 9.6.1.2 ChargeOption1 寄存器（I2C 地址 = 31/30h）[复位 = 0211h]
        3. 9.6.1.3 ChargeOption2 寄存器（I2C 地址 = 33/32h）[复位 = 02B7h]
        4. 9.6.1.4 ChargeOption3 寄存器（I2C 地址 = 35/34h）[复位 = 0030h]
        5. 9.6.1.5 ProchotOption0 寄存器（I2C 地址 = 37/36h）[复位 = 4A65h]
        6. 9.6.1.6 ProchotOption1 寄存器（I2C 地址 = 39/38h）[复位 = 81A0h]
        7. 9.6.1.7 ADCOption 寄存器（I2C 地址 = 3B/3Ah）[复位 = 2000h]
      2. 9.6.2  充电和 PROCHOT 状态
        1. 9.6.2.1 ChargerStatus 寄存器（I2C 地址 = 21/20h）[复位 = 0000h]
        2. 9.6.2.2 ProchotStatus 寄存器（I2C 地址 = 23/22h）[复位 = A800h]
      3. 9.6.3  ChargeCurrent 寄存器（I2C 地址 = 03/02h）[复位 = 0000h]
        1. 9.6.3.1 电池预充电电流钳位
      4. 9.6.4  MaxChargeVoltage 寄存器（I2C 地址 = 05/04h）[基于 CELL_BATPRESZ 引脚设置的复位值]
      5. 9.6.5  MinSystemVoltage 寄存器（I2C 地址 = 0D/0Ch）[基于 CELL_BATPRESZ 引脚设置复位值]
        1. 9.6.5.1 系统电压调节
      6. 9.6.6  用于动态电源管理的输入电流和输入电压寄存器
        1. 9.6.6.1 输入电流寄存器
          1. 9.6.6.1.1 具有 10mΩ 检测电阻的 IIN_HOST 寄存器（I2C 地址 = 0F/0Eh）[复位 = 4100h]
          2. 9.6.6.1.2 具有 10mΩ 检测电阻的 IIN_DPM 寄存器（I2C 地址 = 25/24h）[复位 = 4100h]
          3. 9.6.6.1.3 InputVoltage 寄存器（I2C 地址 = 0B/0Ah）[复位 = VBUS-1.28V]
      7. 9.6.7  OTGVoltage 寄存器（I2C 地址 = 07/06h）[复位 = 0000h]
      8. 9.6.8  OTGCurrent 寄存器（I2C 地址 = 09/08h）[复位 = 0000h]
      9. 9.6.9  ADCVBUS/PSYS 寄存器（I2C 地址 = 27/26h）
      10. 9.6.10 ADCIBAT 寄存器（I2C 地址 = 29/28h）
      11. 9.6.11 ADCIINCMPIN 寄存器（I2C 地址 = 2B/2Ah）
      12. 9.6.12 ADCVSYSVBAT 寄存器（I2C 地址 = 2D/2Ch）
      13. 9.6.13 ID 寄存器
        1. 9.6.13.1 ManufactureID 寄存器（I2C 地址 = 2Eh）[复位 = 0040h]
        2. 9.6.13.2 器件 ID (DeviceAddress) 寄存器（I2C 地址 = 2Fh）[复位 = 0h]
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 设计要求
      2. 10.2.2 详细设计过程
        1. 10.2.2.1 ACP-ACN 输入滤波器
        2. 10.2.2.2 电感器选型
        3. 10.2.2.3 输入电容器
        4. 10.2.2.4 输出电容器
        5. 10.2.2.5 功率 MOSFET 选择
      3. 10.2.3 应用曲线
  12. 11电源相关建议
  13. 12布局
    1. 12.1 布局指南
    2. 12.2 布局示例
      1. 12.2.1 布局示例参考顶视图
      2. 12.2.2 内层布局和布线示例
  14. 13器件和文档支持
    1. 13.1 器件支持
      1. 13.1.1 第三方产品免责声明
    2. 13.2 文档支持
      1. 13.2.1 相关文档
    3. 13.3 接收文档更新通知
    4. 13.4 支持资源
    5. 13.5 商标
    6. 13.6 静电放电警告
    7. 13.7 术语表
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.5 电气特性

测试条件为：TJ = -40°C 至 125°C（除非另有说明）
参数测试条件最小值典型值最大值单位
VINPUT_OP输入电压工作范围3.526V
调节精度
最大系统电压调节
VSYSMAX_RNG系统电压调节，在 VSYS 上测量（禁用充电）1.02419.2V
VSYSMAX_ACC系统电压调节精度（禁用充电）REG0x05/04() = 0x41A0H (16.800V)VSRN + 160mVV
-2%2%
REG0x05/04() = 0x3138H (12.600V)VSRN + 160mVV
-2%2%
REG0x05/04() = 0x20D0H (8.400V)VSRN + 160mVV
–3%3%
REG0x05/04() = 0x1068H (4.200V)VSRN + 160mVV
–3%3%
最小系统电压调节
VSYSMIN_RNG系统电压调节，在 VSYS 上测量1.02419.2V
VSYSMIN_REG_ACC最小系统电压调节精度（VBAT 低于 REG0x0D/0C() 设置）REG0x0D/0C() = 0x3000H12.288V
-2%2%
REG0x0D/0C() = 0x2400H9.216V
-2%2%
REG0x0D/0C() = 0x1800H6.144V
–3%3%
REG0x0D/0C() = 0x0E00H3.584V
–3%3%
充电电压调节
VBAT_RNG电池电压调节1.02419.2V
VBAT_REG_ACC电池电压调节精度（充电启用）（0°C 至 85°C）REG0x05/04() = 0x41A0H16.8V
–0.5%0.5%
REG0x05/04() = 0x3138H12.6V
–0.5%0.5%
REG0x05/04() = 0x20D0H8.4V
–0.6%0.6%
REG0x05/04() = 0x1068H4.2V
–1.1%1.2%
快速充电中的充电电流调节
VIREG_CHG_RNG充电电流调节差分电压范围VIREG_CHG = VSRP –VSRN081.28mV
ICHRG_REG_ACC充电电流调节精度 10mΩ 检测电阻，VBAT 高于 REG0x0D/0C() 设置（0°C 至 85°C）REG0x03/02() = 0x1000H4096mA
–3%2%
REG0x03/02() = 0x0800H2048mA
–4%3%
REG0x03/02() = 0x0400H1024mA
-5%6%
REG0x03/02() = 0x0200H512mA
–12%12%
LDO 模式下的充电电流调节
ICLAMP预充电电流钳位2 至 4 节串联电池384mA
单节电池，VSRN < 3V384mA
单节电池，3V < VSRN < VSYSMIN2A
IPRECHRG_REG_ACC使用 10mΩ SRP/SRN 串联电阻、VBAT 低于 REG0x0D/0C() 设置（0°C 至 85°C）时的预充电电流调节精度REG0x03/02() = 0x0180H384mA
2S-4S-15%15%
1S–25%25%
REG0x03/02() = 0x0100H256mA
2S-4S-20%20%
1S-35%35%
REG0x03/02() = 0x00C0H192mA
2S-4S–25%25%
1S-50%50%
REG0x03/02() = 0x0080H128mA
2S-4S–30%30%
ILEAK_SRP_SRNSRP、SRN 漏电流失配（0°C 至 85°C）–1210µA
输入电流调节
VIREG_DPM_RNG输入电流调节差分电压范围VIREG_DPM = VACP – VACN0.564mV
IDPM_REG_ACC使用 10mΩ ACP/ACN 串联电阻时的输入电流调节精度（-40°C 至 105°C）REG0x0F/0E() = 0x5000H380039004000mA
REG0x0F/0E() = 0x3C00H280029003000mA
REG0x0F/0E() = 0x1E00H130014001500mA
REG0x0F/0E() = 0x0A00H300400500mA
ILEAK_ACP_ACNACP、ACN 漏电流失配（-40°C 至 105°C）–1610µA
VIREG_DPM_RNG_ILIM输入电流调节的电压范围（ILIM_HIZ 引脚）1.154V
IDPM_REG_ACC_ILIMILIM_HIZ 引脚上的输入电流调节精度 VILIM_HIZ = 1V + 40 × IDPM × RAC，使用 10mΩ ACP/ACN 串联电阻VILIM_HIZ = 2.6V380040004200mA
VILIM_HIZ = 2.2V280030003200mA
VILIM_HIZ = 1.6V130015001700mA
VILIM_HIZ = 1.2V300500700mA
ILEAK_ILIMILIM_HIZ 引脚漏电流-11µA
输入电压调节
VIREG_DPM_RNG输入电压调节范围VBUS 上的电压3.219.52V
VDPM_REG_ACC输入电压调节精度REG0x0B/0A()=0x3C80H18688mV
–3%2%
REG0x0B/0A()=0x1E00H10880mV
–4%2.5%
REG0x0B/0A()=0x0500H4480mV
-5%5%
OTG 电流调节
VIOTG_REG_RNGOTG 输出电流调节差分电压范围VIOTG_REG = VACP – VACN081.28mV
IOTG_ACC使用 50mA LSB 和 10mΩ ACP/ACN 串联电阻时的 OTG 输出电流调节精度REG0x09/08() = 0x3C00H280030003200mA
REG0x09/08() = 0x1E00H130015001700mA
REG0x09/08() = 0x0A00H300500700mA
OTG 电压调节
VOTG_REG_RNGOTG 电压调节范围VBUS 上的电压320.8V
VOTG_REG_ACCOTG 电压调节精度REG0x07/06() = 0x23F8H

REG0x34[2] = 0

20.002V
-2%2%
REG0x07/06() = 0x1710H

REG0x34[2] = 1

12.004V
-2%2%
REG0x07/06() = 0x099CH

REG0x34[2] = 1

5.002V
–3%3%
基准和缓冲器
REGN 稳压器
VREGN_REGREGN 稳压器电压 (0mA – 60mA)VVBUS = 10V5.766.3V
VDROPOUT压降模式下的 REGN 电压VVBUS = 5V，ILOAD = 20mA3.84.34.6V
IREGN_LIM_Charging启用转换器时的 REGN 电流限制VVBUS = 10V，强制 VREGN =4V5065mA
CREGN需要 REGN 输出电容器来实现稳定性ILOAD = 100µA 至 50mA2.2µF
CVDDA需要 REGN 输出电容器来实现稳定性ILOAD = 100µA 至 50mA1µF
静态电流
IBAT_BATFET_ON由电池供电的系统。BATFET 开启。ISRN + ISRP + ISW2 + IBTST2 + ISW1 + IBTST1 + IACP + IACN + IVBUS + IVSYSVBAT = 18V，REG0x01[7] = 1，在低功耗模式下2245µA
VBAT = 18V，REG0x01[7] = 1，REG0x31[5] = 1，REGN 关闭125195µA
VBAT = 18V，REG0x01[7] = 0，REG0x31[4] = 0，REGN 开启，DIS_PSYS8801170µA
VBAT = 18V，REG0x01[7] = 0，REG0x31[4] = 1，REGN 开启，EN_PSYS9801270µA
IAC_SW_LIGHT_buck降压模式下 PFM 期间的输入电流，无负载，IVBUS + IACP + IACN + IVSYS + ISRP + ISRN + ISW1 + IBTST + ISW2 + IBTST2VIN = 20V，VBAT = 12.6V，3s，REG0x01[2] = 0；MOSFET Qg = 4nC2.2mA
IAC_SW_LIGHT_boost升压模式下 PFM 期间的输入电流，无负载，IVBUS + IACP + IACN + IVSYS + ISRP + ISRN + ISW1 + IBTST2 + ISW2 + IBTST2VIN = 5V，VBAT = 8.4V，2s，REG0x01[2] = 0；MOSFET Qg = 4nC2.7mA
IAC_SW_LIGHT_buckboost降压/升压模式下 PFM 期间的输入电流，无负载，IVBUS + IACP + IACN + IVSYS + ISRP + ISRN + ISW1 + IBTST1 + ISW2 + IBTST2VIN = 12V，VBAT = 12V，REG0x01[2] = 0；MOSFET Qg = 4nC2.4mA
IOTG_STANDBYOTG 模式下 PFM 期间的静态电流 IVBUS + IACP + IACN + IVSYS + ISRP + ISRN + ISW1 + IBTST2 + ISW2 + IBTST2VBAT = 8.4V，VBUS = 5V，800kHz 开关频率，MOSFET Qg = 4nC3mA
VBAT = 8.4V，VBUS = 12V，800kHz 开关频率，MOSFET Qg = 4nC4.2mA
VBAT = 8.4V，VBUS = 20V，800kHz 开关频率，MOSFET Qg = 4nC6.2mA
VACP/N_OP输入共模范围ACP/ACN 上的电压3.8 26V
VIADPT_CLAMPIADPT 输出钳位电压3.13.23.3V
IIADPTIADPT 输出电流1mA
AIADPT输入电流检测增益V(IADPT) / V(ACP-ACN)，REG0x00[4] = 020V/V
V(IADPT) / V(ACP-ACN)，REG0x00[4] = 140V/V
VIADPT_ACC输入电流监控器精度V(ACP-ACN) = 40.96mV-2%2%
V(ACP-ACN) = 20.48mV–3%3%
V(ACP-ACN) =10.24mV–6%6%
V(ACP-ACN) = 5.12mV-10%10%
CIADPT_MAXIADPT 引脚的最大电容100pF
VSRP/N_OP电池共模范围SRP/SRN 上的电压2.518V
VIBAT_CLAMPIBAT 输出钳位电压3.053.23.3V
IIBATIBAT 输出电流1mA
AIBATIBAT 引脚上的充电和放电电流检测增益V(IBAT) / V(SRN-SRP)，REG0x00[3] = 0，8V/V
V(IBAT) / V(SRN-SRP)，REG0x00[3] = 1，16V/V
IIBAT_CHG_ACCIBAT 引脚上的充电和放电电流监控器精度V(SRN-SRP) = 40.96mV-2%2%
V(SRN-SRP) = 20.48mV–4%4%
V(SRN-SRP) =10.24mV–7%7%
V(SRN-SRP) = 5.12mV-15%15%
CIBAT_MAXIBAT 引脚处的最大电容100pF
系统功率检测放大器
VPSYSPSYS 输出电压范围03.3V
IPSYSPSYS 输出电流0160µA
APSYSPSYS 系统增益V(PSYS) / (P(IN) +P(BAT))，REG0x31[1] = 11µA/W
VPSYS_ACCPSYS 增益精度 (REG0x31[1] = 1)仅适用于系统电源 = 19.5V / 45W、TA = -40°C 至 85°C 的适配器–4%4%
仅适用于系统电源 = 11V / 44W、TA = -40°C 至 85°C 的电池–3%3%
VPSYS_CLAMPPSYS 钳位电压33.3V
比较器
VBUS 欠压锁定比较器
VVBUS_UVLOZVBUS 欠压上升阈值VBUS 上升2.302.552.80V
VVBUS_UVLOVBUS 欠压下降阈值VBUS 下降2.182.402.62V
VVBUS_UVLO_HYSTVBUS 欠压迟滞150mV
VVBUS_CONVENVBUS 转换器使能上升阈值VBUS 上升3.23.53.9V
VVBUS_CONVENZVBUS 转换器使能下降阈值VBUS 下降2.93.23.5V
VVBUS_CONVEN_HYSTVBUS 转换器使能迟滞400mV
电池欠压锁定比较器
VVBAT_UVLOZVBAT 欠压上升阈值VSRN 上升2.352.552.75V
VVBAT_UVLOVBAT 欠压下降阈值VSRN 下降2.22.42.6V
VVBAT_UVLO_HYSTVBAT 欠压迟滞150mV
VVBAT_OTGENVBAT OTG 使能上升阈值VSRN 上升3.253.553.85V
VVBAT_OTGENZVBAT OTG 使能下降阈值VSRN 下降2.22.42.6V
VVBAT_OTGEN_HYSTVBAT OTG 使能迟滞1100mV
VBUS 欠压比较器（OTG 模式）
VVBUS_OTG_UVVBUS 欠压下降阈值以 REG0x07/06() 的百分比表示85%
tVBUS_OTG_UVVBUS 欠压抗尖峰脉冲时间7ms
VBUS 过压比较器（OTG 模式）
VVBUS_OTG_OVVBUS 过压上升阈值以 REG0x07/06() 的百分比表示110%
tVBUS_OTG_OVVBUS 过压抗尖峰脉冲时间10ms
预充电到快速充电转换
VBAT_SYSMIN_RISELDO 模式至快速充电模式阈值，VSRN 上升以 0x0D/0C() 的百分比表示98100102%
VBAT_SYSMIN_FALLLDO 模式至快速充电模式阈值，VSRN 下降以 0x0D/0C() 的百分比表示97.5%
VBAT_SYSMIN_HYST快速充电模式至 LDO 模式阈值迟滞以 0x0D/0C() 的百分比表示2.5%
电池 LOWV 比较器（1S 的预充电至快速充电阈值）
VBATLV_FALLBATLOWV 下降阈值1s2.8V
VBATLV_RISEBATLOWV 上升阈值3V
VBATLV_RHYSTBATLOWV 迟滞200mV
输入过压比较器 (ACOVP)
VACOV_RISEVBUS 过压上升阈值VBUS 上升252627V
VACOV_FALLVBUS 欠压下降阈值VBUS 下降23.524.525V
VACOV_HYSTVBUS 过压迟滞1.5V
tACOV_RISE_DEGVBUS 抗尖峰脉冲过压上升VBUS 转换器上升到停止转换器100µs
tACOV_FALL_DEGVBUS 抗尖峰脉冲过压下降VBUS 转换器下降以启动转换器1ms
输入过流比较器 (ACOC)
VACOCACP 至 ACN 上升阈值，基准为REG0x37[7:4] 中的 ILIM2输入检测电阻两端的电压上升，REG0x32[2] = 11.822.2
VACOC_FLOOR在 ACP 和 ACN 之间进行测量将 IDPM 设置为最小值445056mV
VACOC_CEILING在 ACP 和 ACN 之间进行测量将 IDPM 设置为最大值172180188mV
tACOC_DEG_RISE上升抗尖峰脉冲时间触发 ACOC 的抗尖峰脉冲时间250µs
tACOC_RELAX放松时间转换器再次启动之前的放松时间250ms
系统过压比较器 (SYSOVP)
VSYSOVP_RISE关闭转换器的系统过压上升阈值1s4.8555.1V
2s11.71212.2V
3s，4s1919.520V
VSYSOVP_FALL系统欠压下降阈值1s4.8V
2s11.5V
3s，4s19V
ISYSOVP触发 SYSOVP 停止开关时的放电电流在 SYS 上20mA
BAT 过压比较器 (BATOVP)
VBATOVP_RISE过压上升阈值占 REG0x05/04() 中 VBAT_REG 的百分比1s，4.2V102.5104106%
2s - 4s102.5104105%
VBATOVP_FALL过压下降阈值占 REG0x05/04() 中 VBAT_REG 的百分比1s100102104%
2s - 4s100102103%
VBATOVP_HYST过压迟滞占 REG0x05/04() 中 VBAT_REG 的百分比1s2%
2s - 4s2%
IBATOVPBATOVP 期间的放电电流在 VSYS 引脚上20mA
tBATOVP_RISE关闭 BATDRV 以禁用充电的过压上升抗尖峰脉冲20ms
转换器过流比较器 (Q2)
VOCP_limit_Q2转换器过流限制REG0x32[5] = 1150mV
REG0x32[5] = 0210mV
VOCP_limit_SYSSHORT_Q2系统短路或 SRN < 2.4VREG0x32[5] = 145mV
REG0x32[5] = 060mV
转换器过流比较器 (ACX)
VOCP_limit_ACX转换器过流限制REG0x32[4] = 1150mV
REG0x32[4] = 0280mV
VOCP_limit_SYSSHORT_ACX系统短路或 SRN < 2.4VREG0x32[4] = 190mV
REG0x32[4] = 0150mV
热关断比较器
TSHUT_RISE热关断上升温度温度升高155°C
TSHUTF_FALL热关断下降温度温度降低135°C
TSHUT_HYS热关断迟滞20°C
tSHUT_RDEG热抗尖峰脉冲关断上升100µs
tSHUT_FHYS热抗尖峰脉冲关断下降12ms
VSYS PROCHOT 比较器
VSYS_TH1VSYS_TH1 比较器下降阈值REG0x36[7:4] = 0111，2s - 4s6.6V
REG0x36[7:4] = 0100，1s3.5V
VSYS_TH2VSYS_TH2 比较器下降阈值REG0x36[3:2] = 10，2s - 4s6.5V
REG0x36[3:2] = 10，1s3.5V
tSYS_PRO_falling_DEG用于节流的 VSYS 下降抗尖峰脉冲4µs
ICRIT PROCHOT 比较器
VICRIT_PRO用于节流的输入电流上升阈值以比 ILIM2 (REG0x37[7:3]) 高 10% 表示仅当 ILIM2 设置高于 2A 时105110117%
INOM PROCHOT 比较器
VINOM_PROINOM 上升阈值以比 IIN (REG0x0F/0E()) 高 10% 表示105110116%
IDCHG PROCHOT 比较器
VIDCHG_PROIDSCHG 6A 节流的 IDCHG 阈值REG0x39[7:2] = 0011006272mA
95103%
独立比较器
VINDEP_CMP独立比较器阈值REG0x30[7] = 1，CMPIN 下降1.171.21.23V
REG0x30[7] = 0，CMPIN 下降2.272.32.33V
VINDEP_CMP_HYS独立比较器迟滞REG0x30[7] = 0，CMPIN 下降100mV
功率 MOSFET 驱动器
PWM 振荡器和斜坡
FSWPWM 开关频率REG0x01[1] = 0102012001380kHz
REG0x01[1] = 1680800920kHz
BATFET 栅极驱动器 (BATDRV)
VBATDRV_ONBATFET 上的栅极驱动电压8.51011.5V
VBATDRV_DIODE理想二极管运行期间 BATFET 上的漏源电压30mV
RBATDRV_ON通过向 BATDRV 提供 10µA 电流进行测量2.546kΩ
RBATDRV_OFF通过从 BATDRV 灌入 10µA 电流进行测量1.22.1kΩ
PWM 高侧驱动器 (HIDRV Q1)
RDS_HI_ON_Q1高侧驱动器 (HSD) 导通电阻VBTST1 - VSW1 = 5V6Ω
RDS_HI_OFF_Q1高侧驱动器关断电阻VBTST1 - VSW1 = 5V1.32.2Ω
VBTST1_REFRESH自举刷新比较器下降阈值电压当请求低侧刷新脉冲时 VBTST1 - VSW13.23.74.6V
PWM 高侧驱动器 (HIDRV Q4)
RDS_HI_ON_Q4高侧驱动器 (HSD) 导通电阻VBTST2 - VSW2 = 5V6Ω
RDS_HI_OFF_Q4高侧驱动器关断电阻VBTST2 - VSW2 = 5V1.52.4Ω
VBTST2_REFRESH自举刷新比较器下降阈值电压当请求低侧刷新脉冲时 VBTST2 - VSW23.13.74.5V
PWM 低侧驱动器 (LODRV Q2)
RDS_LO_ON_Q2低侧驱动器 (LSD) 导通电阻VBTST1 - VSW1 = 5.5V6Ω
RDS_LO_OFF_Q2低侧驱动器关断电阻VBTST1 - VSW1 = 5.5V1.72.6Ω
PWM 低侧驱动器 (LODRV Q3)
RDS_LO_ON_Q3低侧驱动器 (LSD) 导通电阻VBTST2 - VSW2 = 5.5V7.6Ω
RDS_LO_OFF_Q3低侧驱动器关断电阻VBTST2 - VSW2 = 5.5V2.94.6Ω
充电使能期间的内部软启动
SSSTEP_DAC软启动步长64mA
SSSTEP_DAC软启动步长时间8µs
集成 BTST 二极管 (D1)
VF_D1正向偏置电压25°C 时 IF = 20mA0.8V
VR_D1反向击穿电压25°C 时 IR = 2µA20V
集成 BTST 二极管 (D2)
VF_D2正向偏置电压25°C 时 IF = 20mA0.8V
VR_D2反向击穿电压25°C 时 IR = 2µA20V
接口
逻辑输入（SDA、SCL、OTG/VAP）
VIN_ LO输入低阈值I2C0.4V
VIN_ HI输入高阈值I2C1.3V
逻辑输出开漏（SDA、CHRG_OK、CMPOUT）
VOUT_LO输出饱和电压5mA 漏极电流0.4V
VOUT_ LEAK漏电流V = 7V-11µA
逻辑输出开漏 SDA
VOUT_ LO_SDA输出饱和电压5mA 漏极电流0.4V
VOUT_ LEAK_SDA漏电流V = 7V-11µA
逻辑输出开漏 CHRG_OK
VOUT_ LO_CHRG_OK输出饱和电压5mA 漏极电流0.4V
VOUT_ LEAK _CHRG_OK漏电流V = 7V-11µA
逻辑输出开漏 CMPOUT
VOUT_ LO_CMPOUT输出饱和电压5mA 漏极电流0.4V
VOUT_ LEAK _CMPOUT漏电流V = 7V-11µA
逻辑输出开漏 (PROCHOT)
VOUT_ LO_PROCHOT输出饱和电压50Ω 上拉至 1.05V/5mA300mV
VOUT_ LEAK_PROCHOT漏电流V = 5.5V-11µA
模拟输入 (ILIM_HIZ)
VHIZ_ LO退出 HIZ 模式的电压ILIM_HIZ 引脚上升0.8V
VHIZ_ HIGH启用 HIZ 模式的电压ILIM_HIZ 引脚下降0.4V
模拟输入 (CELL_BATPRESZ)
VCELL_4S4SREGN 的 REGN = 6V，以百分比形式表示68.475%
VCELL_3S3SREGN 的 REGN = 6V，以百分比形式表示51.75565%
VCELL_2S2SREGN 的 REGN = 6V，以百分比形式表示354049.1%
VCELL_1S1SREGN 的 REGN = 6V，以百分比形式表示18.42531.6%
VCELL_BATPRESZ_RISE存在电池CELL_BATPRESZ 上升18%
VCELL_BATPRESZ_FALL电池被移除CELL_BATPRESZ 下降15%