适用于 SiC 和 IGBT 晶体管及电源模块的驱动和保护评估板 UCC21750QDWEVM-025 (正在供货)

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UCC21750QDWEVM-025 is a prototype evaluation module and is available in limited quantities.

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The UCC21750QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, desat feature based protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation drivers UCC21750 in SOIC-16DW package with 8.0 mm creepage and clearance. The EVM includes SN6505B based isolated DC-DC transformer bias supplies.

特性
  • 10-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
  • Two 5.7-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
  • Short circuit protection using desat signal with soft turn OFF and Miller clamp with internal FET
  • Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns

包含项目

  • Power modules not included

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UCC21750QDWEVM-025:
Driving and protection evaluation board for SiC and IGBT transistors and power modules

$99.00(USD)


ACTIVE

应遵守 TI 的评估模块标准条款与条件

技术文档
数据表 (1)
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新英文版本
PDF 1314 2019年 5月 3日
用户指南 (1)
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新英文版本
PDF 7231 2019年 4月 30日
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TI 器件 (5)

器件型号 名称 产品系列
SN6505B  SN6505x 用于隔离电源的低噪声 1A 变压器驱动器  隔离 
SN74AHC1G08-Q1  汽车类单路 2 输入正与门  门 
TPS3700  具有 18V 高电源(Vcc 时)的过压和欠压监控电路  电源管理 
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UCC21750  适用于 SiC/IGBT 且具有高级保护功能和高 CMTI 的单通道隔离式栅极驱动器  门驱动器 

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