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AC/DC & DC/DC controllers (external FET)

TPS51623

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适用于 VR12.1 VCPU 的两相 D-CAP+™ 降压控制器

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产品详情

Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 28 Iout (max) (A) 60 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Control mode D-CAP+ Rating Catalog Vout (min) (V) 0.5 Vout (max) (V) 1.5 Iq (typ) (A) 0.0005 Duty cycle (max) (%) 30
Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 28 Iout (max) (A) 60 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Control mode D-CAP+ Rating Catalog Vout (min) (V) 0.5 Vout (max) (V) 1.5 Iq (typ) (A) 0.0005 Duty cycle (max) (%) 30
VQFN (RSM) 32 16 mm² 4 x 4
  • 符合 VR12.1 串行 VID (SVID) 标准
  • 单相或两相运行
  • 仅支持零负载线路应用
  • 8 位 DAC 输出范围：0.25 V 至 1.52 V
  • 优化了轻负载和重负载条件下的效率
  • 8 级独立的过冲衰减 (OSR) 和下冲衰减 (USR)
  • 无驱动器配置，有助于实现高效的高频开关
  • 支持分立式、电源块、功率级或 DrMOS MOSFET 实施
  • 精确可调电压定位
  • 300kHz 至 1MHz 的频率选择
  • 获得专利的 AutoBalance 相位平衡
  • 可选 8 级电流限制
  • 4.5V 至 28V 转换电压范围
  • 小型 4mm × 4mm 32 引脚 VQFN PowerPAD™ 集成电路封装
  • 符合 VR12.1 串行 VID (SVID) 标准
  • 单相或两相运行
  • 仅支持零负载线路应用
  • 8 位 DAC 输出范围：0.25 V 至 1.52 V
  • 优化了轻负载和重负载条件下的效率
  • 8 级独立的过冲衰减 (OSR) 和下冲衰减 (USR)
  • 无驱动器配置，有助于实现高效的高频开关
  • 支持分立式、电源块、功率级或 DrMOS MOSFET 实施
  • 精确可调电压定位
  • 300kHz 至 1MHz 的频率选择
  • 获得专利的 AutoBalance 相位平衡
  • 可选 8 级电流限制
  • 4.5V 至 28V 转换电压范围
  • 小型 4mm × 4mm 32 引脚 VQFN PowerPAD™ 集成电路封装

TPS51623 器件是一款无驱动器、完全符合 SVID 标准的 VR12.1 降压控制器。高级控制特性（例如 D-CAP+ 架构）借助重叠脉冲支持下冲衰减 (USR) 和过冲衰减 (OSR)，可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。TPS51623 器件还支持在 CCM 或 DCM 运行情况下进行单相运行，从而提高轻负载情况下的效率。TPS51623 器件集成了完整的 VR12.1 I/O 功能，包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允许在 0 到 7 的时间范围内进行编程。当器件在 PS4 模式下运行时，控制器的静态功耗通常为 0.25mW。VOUT 压摆率和电压定位的可调节控制完善了 VR12.1 功能。

与 TPS51604 FET 栅极驱动器配合使用时，该解决方案可提供超高速度和低开关损耗。TPS51623 器件与选定的 TI 功率级产品以及 DrMOS 产品一起使用，可实现出色效率。TPS51623 器件以 1V 的默认启动电压运行。通过在设计中添加一个外部电阻分压器，应用可以覆盖默认启动电压。

TPS51623 器件采用节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装，可在 –40°C 到 105°C 温度下运行。

TPS51623 器件是一款无驱动器、完全符合 SVID 标准的 VR12.1 降压控制器。高级控制特性（例如 D-CAP+ 架构）借助重叠脉冲支持下冲衰减 (USR) 和过冲衰减 (OSR)，可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。TPS51623 器件还支持在 CCM 或 DCM 运行情况下进行单相运行，从而提高轻负载情况下的效率。TPS51623 器件集成了完整的 VR12.1 I/O 功能，包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允许在 0 到 7 的时间范围内进行编程。当器件在 PS4 模式下运行时，控制器的静态功耗通常为 0.25mW。VOUT 压摆率和电压定位的可调节控制完善了 VR12.1 功能。

与 TPS51604 FET 栅极驱动器配合使用时，该解决方案可提供超高速度和低开关损耗。TPS51623 器件与选定的 TI 功率级产品以及 DrMOS 产品一起使用，可实现出色效率。TPS51623 器件以 1V 的默认启动电压运行。通过在设计中添加一个外部电阻分压器，应用可以覆盖默认启动电压。

TPS51623 器件采用节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装，可在 –40°C 到 105°C 温度下运行。
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如需获取详细的数据表和其他设计支持工具，请联系 IMVP@list.ti.com。

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* 数据表 TPS51623 适用于 VR12.1 VCPU 的两相 D-CAP+ 降压控制器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022年 4月 13日
技术文章 How to create a power supply for Intel’s Braswell processor PDF | HTML 2015年 8月 10日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

参考设计

TIDA-00572 — 面向工业 PC 的高功率密度 9V 至 15V 输入、Intel® Pentium™ N3700 VCC0+VCC1 电源设计

TI TPS1623 VR12.1 参考设计支持 Intel® Pentium™ N3700，使用 TI 的无驱 PWM 架构与 TI 功率级相结合，带来高功率密度、高效率和低组件数，同时凭借低波纹、严密负载线和高输出电流监控精度来满足 Intel 电压容限要求。
测试报告: PDF
原理图: PDF
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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