UCD7242-EP

UCD7242 是一款可驱动两个独立降压电源的完整电源系统（请见 ）。 在一个单片解决方案中完全集成高侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，低侧 MOSFET，驱动器，电流感测电路以及必要的保护功能，以最大限度地减小尺寸和提高效率。 驱动器电路可在同步降压电路中为高侧 NMOS 开关和低侧 NMOS 同步整流器提供高充电及放电电流。 MOSFET 栅极可由内部经稳压 V_GG 电源驱动至 +6.25V 电压。 可禁用内部 V_GG 稳压器，以允许用户提供一个独立的栅极驱动电压。 这种高灵活性支持 2.2V 至 18V 宽电源转换输入电压范围。内部欠压闭锁 (UVLO) 逻辑可在允许芯片工作之前确保 V_GG 良好。

同步整流器使能 (SRE) 引脚在 PWM 信号为低电平时控制低侧 MOSFET 是否打开。 当 SRE 为高电平时，此部件针对所有负载以连续传导模式运行。 在这个模式下，此驱动逻辑模块使用脉宽调制 (PWM) 信号来控制高侧与低侧栅极驱动信号。 还优化了死区时间以防止交叉传导。 当 SRE 为低电平时，此部件在轻负载时运行在断续传导模式下。 在这个模式下，低侧 MOSFET 始终保持关闭。

板载比较器监控流经高侧开关的电流，以保护功率级不受突发高电流负载的影响。 针对高侧比较器设置消隐延迟，以避免与开关边沿噪声同时发生故障报告。 如果发生过流故障，高侧 FET 被关闭并且故障标志 (FLT) 被置为有效以警告控制器。

由一个高精度集成电流感测元件测量和监控 MOSFET 电流。 这个方法在大多数负载范围内提供 ±5% 的精度。 I_MON 引脚上的控制器可使用这个被放大的信号。

一个片载温度感测将芯片温度转换为供控制器使用的 T_MON 上的电压。 如果芯片温度超过 170°C，此温度传感器发起一个暂停输出切换的热关断并且将 FLT 标志置位。 当芯片温度下降到低于热滞后频带时，正常运行恢复。