UCC27311A-Q1

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具有 8V UVLO 和使能功能的汽车类 120V 4A 半桥栅极驱动器

产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 7.2 Fall time (ns) 5.5 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -20 Features Enable, Negative voltage handling Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 7.2 Fall time (ns) 5.5 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -20 Features Enable, Negative voltage handling Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
VSON (DRC) 10 9 mm² 3 x 3
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 温度等级 1(T J = –40°C 至 150°C)
    • HBM ESD 分类等级 1B
    • CDM ESD 分类等级 C3
  • 驱动高侧和低侧配置中的两个 N 沟道 MOSFET
  • 最大引导电压 120V 直流
  • 3.7A 灌电流,4.5A 拉电流输出
  • 集成式自举二极管
  • 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压,并且与电源电压范围无关
  • TTL 兼容输入
  • 8V 至 17V VDD 工作电压范围(绝对最大值 20V),具有 UVLO 功能
  • 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间(采用 1000pF 负载)
  • 启用/禁用功能,且禁用时电流消耗较低 (7µA)
  • 快速传播延迟时间(典型值 20ns)
  • 4ns 延迟匹配
  • 额定结温范围为 -40°C 至 +150°C
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 温度等级 1(T J = –40°C 至 150°C)
    • HBM ESD 分类等级 1B
    • CDM ESD 分类等级 C3
  • 驱动高侧和低侧配置中的两个 N 沟道 MOSFET
  • 最大引导电压 120V 直流
  • 3.7A 灌电流,4.5A 拉电流输出
  • 集成式自举二极管
  • 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压,并且与电源电压范围无关
  • TTL 兼容输入
  • 8V 至 17V VDD 工作电压范围(绝对最大值 20V),具有 UVLO 功能
  • 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间(采用 1000pF 负载)
  • 启用/禁用功能,且禁用时电流消耗较低 (7µA)
  • 快速传播延迟时间(典型值 20ns)
  • 4ns 延迟匹配
  • 额定结温范围为 -40°C 至 +150°C

UCC273 11A -Q1 汽车类半桥驱动器是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器,绝对最大开关节点 (HS) 额定电压为 115V。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力,UCC273 11A -Q1 可在驱动大功率 MOSFET 的同时,使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。UCC273 11A -Q1 的开关节点(HS 引脚)可处理负瞬态电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

输入结构能够直接处理 -10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。LI 和 HI 输入还独立于电源电压,且具有 20V 的绝对最大额定值。

低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,且彼此的开通和关断时间均为 4ns。由于使用了一个额定电压为 120V 的片上自举二极管,因此无需添加分立式自举二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定 (UVLO) 功能,可提供对称的开通和关断行为,并且能够在驱动电压低于额定阈值时将输出强制为低电平。

UCC273 11A -Q1 汽车类半桥驱动器是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器,绝对最大开关节点 (HS) 额定电压为 115V。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力,UCC273 11A -Q1 可在驱动大功率 MOSFET 的同时,使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。UCC273 11A -Q1 的开关节点(HS 引脚)可处理负瞬态电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

输入结构能够直接处理 -10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。LI 和 HI 输入还独立于电源电压,且具有 20V 的绝对最大额定值。

低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,且彼此的开通和关断时间均为 4ns。由于使用了一个额定电压为 120V 的片上自举二极管,因此无需添加分立式自举二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定 (UVLO) 功能,可提供对称的开通和关断行为,并且能够在驱动电压低于额定阈值时将输出强制为低电平。

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* 数据表 UCC27311A-Q1 具有 8V UVLO、集成式自举二极管和使能端的汽车类 120V、3.7A/4.5A 半桥驱动器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2023年 9月 1日
应用手册 Selecting Gate Drivers for HVAC Systems PDF | HTML 2024年 4月 4日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

UCC27282EVM-335 — UCC27282 120V、3A、5V UVLO 高侧低侧栅极驱动器评估模块

UCC27282EVM-335 适用于评估 UCC27282DRC,后者是一种具备高峰值拉电流和灌电流能力的 120V 半桥栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。此 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南: PDF
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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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