TPS657120

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射频前端电源管理 IC (PMIC)

产品详情

Regulated outputs (#) 5 Configurability Factory programmable, Software configurable Vin (min) (V) 2 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.8 Vout (max) (V) 3.6 Iout (max) (A) 2.5 Features Power good, Power sequencing Step-up DC/DC converter 0 Step-down DC/DC converter 3 Step-down DC/DC controller 0 Step-up DC/DC controller 0 LDO 2 Iq (typ) (mA) 0.06 Rating Catalog Switching frequency (max) (kHz) 2600 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Processor supplier NVIDIA Processor name Tegra Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 55 Switching frequency (typ) (kHz) 2400
Regulated outputs (#) 5 Configurability Factory programmable, Software configurable Vin (min) (V) 2 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.8 Vout (max) (V) 3.6 Iout (max) (A) 2.5 Features Power good, Power sequencing Step-up DC/DC converter 0 Step-down DC/DC converter 3 Step-down DC/DC controller 0 Step-up DC/DC controller 0 LDO 2 Iq (typ) (mA) 0.06 Rating Catalog Switching frequency (max) (kHz) 2600 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Processor supplier NVIDIA Processor name Tegra Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 55 Switching frequency (typ) (kHz) 2400
DSBGA (YFF) 30 5.71999999999999912 mm² 2.2 x 2.5999999999999996
  • 3 个降压转换器:
    • VIN 范围从 2.8V 至 5.5V
    • 轻负载电流状态下的省电模式
    • PWM 模式中的输出电压准确度为 ±2%
    • 每个 DCDC1 和 DCDC2 转换器的静态电流典型值为 16μA
    • DCDC3 转换器的静态电流典型值为 26μA
    • 动态电压调节
    • 最低压降占空比为 100%
  • 2 个低压降稳压器 (LDO):
    • 2 x 10mA 输出电流
    • 低噪音 RF-LDO
    • 输出电压范围 1.2V 至 3.4V
    • 32μA 静态电流
    • 独立的电源输入支持预调节
    • ECO 模式
    • LDO 的 VIN范围:
      • LDO1:2.0V 至 5.5V
      • LDO2:2.8V 至 5.5V
  • 2 个通用输入输出 (GPIO)
  • 过热保护
  • 旁路开关
    • 与为 RF-PA 供电的 DCDC3 一同使用
  • 接口
    • 26MHz 移动行业处理器接口 (MIPI) 射频前端 (RFFE) 接口
  • 欠压闭锁
  • 灵活的加电和断电排序
  • 2.5mm x 2.3mm 晶圆级芯片封装 (WCSP) 封装,引线间距为 0.4mm

应用

  • 数据卡
  • 智能手机

  • 3 个降压转换器:
    • VIN 范围从 2.8V 至 5.5V
    • 轻负载电流状态下的省电模式
    • PWM 模式中的输出电压准确度为 ±2%
    • 每个 DCDC1 和 DCDC2 转换器的静态电流典型值为 16μA
    • DCDC3 转换器的静态电流典型值为 26μA
    • 动态电压调节
    • 最低压降占空比为 100%
  • 2 个低压降稳压器 (LDO):
    • 2 x 10mA 输出电流
    • 低噪音 RF-LDO
    • 输出电压范围 1.2V 至 3.4V
    • 32μA 静态电流
    • 独立的电源输入支持预调节
    • ECO 模式
    • LDO 的 VIN范围:
      • LDO1:2.0V 至 5.5V
      • LDO2:2.8V 至 5.5V
  • 2 个通用输入输出 (GPIO)
  • 过热保护
  • 旁路开关
    • 与为 RF-PA 供电的 DCDC3 一同使用
  • 接口
    • 26MHz 移动行业处理器接口 (MIPI) 射频前端 (RFFE) 接口
  • 欠压闭锁
  • 灵活的加电和断电排序
  • 2.5mm x 2.3mm 晶圆级芯片封装 (WCSP) 封装,引线间距为 0.4mm

应用

  • 数据卡
  • 智能手机

TPS657120 提供 3 个输出电流高达 2A 的可配置降压转换器。 它还包含 2 个 LDO 稳压器。 LDO1 可直接由输入电压或者由诸如 DCDC1 或 DCDC2 的一个预稳压电源供电。 到 LDO2 的输入电压可被用作一个模拟电源输入,因此,需要将它连接至一个与 VINDCDC1/2 和 VINDCDC3 处于同一电压电平的输入电压上。 内部加电/断电控制器是可配置的,并能够支持任何加电/断电序列(基于一次性可编程 (OTP))。 所有 LDO 和直流到直流转换器由一个 MIPI RFFE 兼容接口和/或由引脚 PWRON,CLK_REQ1 和 CLK_REQ2 进行控制。 此外,还有一个 nRESET 以及一个 RFFE 地址选择 (ADR_SELECT) 输入,这两个输入中任何一个可被用作具有 1mA 电流吸收能力的通用 I/O。 TPS657120 采用 6 焊球 x 5 焊球的 WCSP 封装 (2.5mm x 2.3mm),引线间距 0.4mm。

TPS657120 提供 3 个输出电流高达 2A 的可配置降压转换器。 它还包含 2 个 LDO 稳压器。 LDO1 可直接由输入电压或者由诸如 DCDC1 或 DCDC2 的一个预稳压电源供电。 到 LDO2 的输入电压可被用作一个模拟电源输入,因此,需要将它连接至一个与 VINDCDC1/2 和 VINDCDC3 处于同一电压电平的输入电压上。 内部加电/断电控制器是可配置的,并能够支持任何加电/断电序列(基于一次性可编程 (OTP))。 所有 LDO 和直流到直流转换器由一个 MIPI RFFE 兼容接口和/或由引脚 PWRON,CLK_REQ1 和 CLK_REQ2 进行控制。 此外,还有一个 nRESET 以及一个 RFFE 地址选择 (ADR_SELECT) 输入,这两个输入中任何一个可被用作具有 1mA 电流吸收能力的通用 I/O。 TPS657120 采用 6 焊球 x 5 焊球的 WCSP 封装 (2.5mm x 2.3mm),引线间距 0.4mm。

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TPS657120 针对基带和射频-功率放大器(RF-PA) 电源的电源管理单元(PMU) 数据表 最新英语版本 (Rev.A) PDF | HTML 2014年 1月 30日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

封装 引脚 下载
DSBGA (YFF) 30 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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