TPS51363
- 输入电压范围：3V 至 22V
- 输出电压范围：0.6V 至 2V
- 8A 或 10A 集成 FET 转换器
（请见） - 最少的外部组件数量
- 软启动时间可由外部电容器设定
- 开关频率：400kHz 和 800kHz
- D-CAP2™ 架构以实现高分子有机半导体固体电容器 (POSCAP) 和所有多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容器的使用
- 用于精确过流限制 (OCL) 保护的集成且支持温度补偿的低侧导通电阻感测
- 电源良好输出
OCL，过压保护 (OVP)，欠压保护 (UVP) 和欠压闭锁 (UVLO) 保护 - 热关断（非锁存）
- 输出放电功能
- 集成升压金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 开关
- 焊球间距 0.4mm，高度 1mm 的 28 引脚，3.5mm x 4.5mm，RVE，四方扁平无引线 (QFN) 封装
TPS51363 是一款高压输入、同步转换器，此转换器带有集成的 FET，基于 D-CAP2 控制拓扑结构，从而实现快速瞬态响应并支持 POSCAP 和所有 MLCC 输出电容器。 与 TI 领先的封装技术组合在一起，TI 专有的 FET 技术为诸如 VCCIO 和 VDDQ 等用于 DDR 笔记本内存的单输出电源轨或者广泛应用中的任何负载点 (POL) 提供最高密度的解决方案。
此特性集包括 400kHz 和 800kHz 的开关频率。 可由一个外部电容器设定的软启动时间。自动跳跃、预偏置启动、集成引导加载开关、电源良好、使能和一整套的故障保护机制，其中包括 OCL，UVP，OVP 5V UVLO 和热关断。
它采用 3.5mm x 4.5mm，焊球间距 0.4mm，28 引脚 QFN (RVE) 封装，额定运行温度范围为 -10°C 至 85°C。
技术文档
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | 22V 输入，8A 或10A 转换器此转换器具有集成场效应晶体管(FET) 数据表 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2013年 8月 9日 |
设计和开发
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仿真模型
TPS51363 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. A)
SLUM367A.ZIP (57 KB) - PSpice Model
| 封装 | 引脚 | 下载 |
|---|---|---|
| VQFN-CLIP (RVE) | 28 | 查看选项 |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点