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DRV8329-Q1

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具有单个电流检测放大器的汽车级 60V 三相栅极驱动器

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DRV8329-Q1

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产品详情

Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 65 Features 1x low side current sense, Bootstrap Architecture for Gate Driver, HW based configuration, Supports 100% PWM Duty Cycle with Trickle Charge pump Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 65 Features 1x low side current sense, Bootstrap Architecture for Gate Driver, HW based configuration, Supports 100% PWM Duty Cycle with Trickle Charge pump Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RGF) 40 35 mm² 7 x 5
  • 65V 三相半桥栅极驱动器
    • 可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 沟道 MOSFET (NMOS)
    • 4.5V 至 60V 工作电压范围
    • 具有涓流电荷泵，支持 100% 占空比
  • 基于自举的栅极驱动器架构
    • 1000mA 最大峰值拉电流
    • 2000mA 最大峰值灌电流
  • 具有低输入失调电压的集成电流检测放大器（针对 1 个分流器进行了优化）
    • 可调增益（5V/V、10V/V、20V/V、40V/V）
  • 硬件接口提供简单配置
  • 温度为 25̊C 时，超低功耗休眠模式下的电流 <1uA
  • 4ns（典型值）相位间传播延迟匹配
  • 独立驱动器关断路径 (DRVOFF)
  • 65V 耐压唤醒引脚 (nSLEEP)
  • SHx 引脚瞬态负压可达 -10V
  • 6x 和 3x PWM 模式
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 精密 LDO (AVDD)，3.3V ±3%，80mA
  • 紧凑型 QFN 封装和尺寸
  • 可通过 VDSLVL 引脚调节 VDS 过流阈值
  • 可通过 DT 引脚调节死区时间
  • 具有电源块的高效系统设计
  • 集成保护特性
    • PVDD 欠压锁定 (PVDDUV)
    • GVDD 欠压 (GVDDUV)
    • 自举欠压 (BST_UV)
    • 过流保护（VDS_OCP、SEN_OCP）
    • 热关断 (OTSD)
    • 故障状态指示器 (nFAULT)
  • 65V 三相半桥栅极驱动器
    • 可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 沟道 MOSFET (NMOS)
    • 4.5V 至 60V 工作电压范围
    • 具有涓流电荷泵，支持 100% 占空比
  • 基于自举的栅极驱动器架构
    • 1000mA 最大峰值拉电流
    • 2000mA 最大峰值灌电流
  • 具有低输入失调电压的集成电流检测放大器（针对 1 个分流器进行了优化）
    • 可调增益（5V/V、10V/V、20V/V、40V/V）
  • 硬件接口提供简单配置
  • 温度为 25̊C 时，超低功耗休眠模式下的电流 <1uA
  • 4ns（典型值）相位间传播延迟匹配
  • 独立驱动器关断路径 (DRVOFF)
  • 65V 耐压唤醒引脚 (nSLEEP)
  • SHx 引脚瞬态负压可达 -10V
  • 6x 和 3x PWM 模式
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 精密 LDO (AVDD)，3.3V ±3%，80mA
  • 紧凑型 QFN 封装和尺寸
  • 可通过 VDSLVL 引脚调节 VDS 过流阈值
  • 可通过 DT 引脚调节死区时间
  • 具有电源块的高效系统设计
  • 集成保护特性
    • PVDD 欠压锁定 (PVDDUV)
    • GVDD 欠压 (GVDDUV)
    • 自举欠压 (BST_UV)
    • 过流保护（VDS_OCP、SEN_OCP）
    • 热关断 (OTSD)
    • 故障状态指示器 (nFAULT)

DRV8329-Q1 系列器件是适用于三相应用的集成栅极驱动器。这类器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。该器件使用内部电荷泵生成合适的栅极驱动电压，使用自举电路增强高侧 MOSFET。该器件具有涓流电荷泵，支持 100% 占空比。此栅极驱动架构支持高达 1A 的峰值栅极驱动拉电流和 2A 的峰值栅极驱动灌电流。DRV8329-Q1 由单一电源供电，支持 4.5V 至 60V 的宽输入电源电压范围。

6x 和 3x PWM 模式可简化与控制器电路的连接。该器件具有集成的精密 3.3V LDO，该 LDO 可用于为外部控制器供电，并可用作 CSA 的基准电压。该器件的配置设置可通过硬件 (H/W) 引脚来配置。

DRV8329-Q1 器件集成了低侧电流检测放大器，可在驱动级的全部三个相位上进行电流检测，以获得电流总和。

该器件提供低功耗休眠模式，通过关断大部分内部电路实现了低静态电流。该器件针对欠压锁定、GVDD 故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路和过热等情况，提供内部保护功能。故障条件在 nFAULT 引脚上指示。

DRV8329-Q1 系列器件是适用于三相应用的集成栅极驱动器。这类器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。该器件使用内部电荷泵生成合适的栅极驱动电压，使用自举电路增强高侧 MOSFET。该器件具有涓流电荷泵，支持 100% 占空比。此栅极驱动架构支持高达 1A 的峰值栅极驱动拉电流和 2A 的峰值栅极驱动灌电流。DRV8329-Q1 由单一电源供电，支持 4.5V 至 60V 的宽输入电源电压范围。

6x 和 3x PWM 模式可简化与控制器电路的连接。该器件具有集成的精密 3.3V LDO，该 LDO 可用于为外部控制器供电，并可用作 CSA 的基准电压。该器件的配置设置可通过硬件 (H/W) 引脚来配置。

DRV8329-Q1 器件集成了低侧电流检测放大器，可在驱动级的全部三个相位上进行电流检测，以获得电流总和。

该器件提供低功耗休眠模式，通过关断大部分内部电路实现了低静态电流。该器件针对欠压锁定、GVDD 故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路和过热等情况，提供内部保护功能。故障条件在 nFAULT 引脚上指示。
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* 数据表 DRV8329-Q1 4.5V 至 60V 三相 BLDC 栅极驱动器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 4月 2日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

DRV8329AEVM — DRV8329A 三相 BLDC 栅极驱动器评估模块

DRV8329AEVM 是一款基于 DRV8329A 栅极驱动器（适用于 BLDC 电机）的 30A 三相无刷直流驱动级。DRV8329 包含三个二极管用于自举操作，因此无需使用外部二极管。该器件包含用于低侧电流测量的电流分流放大器、80mA LDO、死区时间控制引脚、VDS 过流电平引脚和栅极驱动器关断引脚。EVM 包含用于评估这些设置的开关、电位计和电阻器，可面向 DRV8329 器件 A 型 (6x PWM) 和 B 型 (3x PWM) 进行配置。

可向此 EVM 提供高达 60V 的电压，DRV8329 的集成 LDO 可为自举 GVDD 电源提供所需的栅极电压。包含所有电源的状态 (...)

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