ZHCSDG9 March 2015 CSD22204W

PRODUCTION DATA. 

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1Electrical Characteristics
    2. 5.2Thermal Information
    3. 5.3Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1商标
    2. 6.2静电放电警告
    3. 6.3术语表
  7. 7机械封装和可订购信息
    1. 7.1CSD22204W 封装尺寸
    2. 7.2建议的焊盘图案
    3. 7.3卷带信息

1 特性

  • 低电阻
  • 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
  • 无铅
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅 - 源电压钳位

2 应用范围

  • 电池管理
  • 电池保护
  • 负载开关应用

3 说明

这款 –8V、8.2mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和超薄特性结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

顶视图和电路配置
CSD22204W Pin_Map_and_Circuit_Configuration_r2.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压-8V
Qg栅极电荷总量 (-4.5V)18.9nC
Qgd栅极电荷(栅极到漏极)4.2nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = -2.5V11.5
VGS = -4.5V8.2
VGS(th)阈值电压 -0.7V

订购信息(1)

器件数量介质 封装 出货
CSD22204W30007 英寸卷带1.5mm x 1.5mm 晶圆级球状引脚栅格阵列 (BGA) 封装卷带封装
CSD22204WT2507 英寸卷带
  1. 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。


最大绝对额定值

TA = 25°C 单位
VDS漏源电压-8V
VGS栅源电压 -6V
ID持续漏极电流(1)-5A
脉冲漏极电流(2)-80A
PD功率耗散1.7W
TJ
Tstg
运行结温和
储存温度范围
-55 至 150°C
  1. 器件在 105ºC 温度下运行。
  2. RθJA 典型值 = 75°C/W,脉宽 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%.

RDS(on) 与 VGS 间的关系

CSD22204W D007_SLPS528_r2.gif

栅极电荷

CSD22204W D004_SLPS528_FP_r2.gif