ZHCSEU0A November   2015  – December 2015 LM5109B-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Start-up and UVLO
      2. 7.3.2 Level Shift
      3. 7.3.3 Output Stages
    4. 7.4 HS Transient Voltages Below Ground
    5. 7.5 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Select Bootstrap and VDD Capacitor
        2. 8.2.2.2 Select External Bootstrap Diode and Its Series Resistor
        3. 8.2.2.3 Selecting External Gate Driver Resistor
        4. 8.2.2.4 Estimate the Driver Power Loss
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 社区资源
    2. 11.2 商标
    3. 11.3 静电放电警告
    4. 11.4 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 符合汽车类 应用标准
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
    • 器件温度 1 级
    • 器件人体放电模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 1C
    • 器件组件充电模型 (CDM) ESD 分类等级 C4A
  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 1A 峰值输出电流（1.0A 灌电流/1.0A 拉电流）
  • 独立的晶体管-晶体管逻辑电路/互补金属氧化物半导体 (TTL/CMOS) 兼容输入
  • 自举电源电压高达 108V（直流）
  • 短暂传播时间（典型值为 30ns）
  • 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 耐热增强型晶圆级小外形无引线 (WSON)-8 封装

2 应用

  • 推挽转换器
  • 半桥和全桥电源转换器
  • 固态电机驱动器
  • 双开关正向电源转换器

3 说明

LM5109B-Q1 是一款具有成本效益的高电压栅极驱动器，设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。悬空高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过兼容 TTL/CMOS 的逻辑输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用耐热增强型 WSON(8) 封装。

器件信息(1)

部件号 封装 封装尺寸（标称值）
LM5109B-Q1 WSON (8) 4.00mm x 4.00mm
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

简化的应用示意图

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