ZHCADT3 February   2024 MSPM0C1104 , MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G3105 , MSPM0G3106 , MSPM0G3107 , MSPM0G3107-Q1 , MSPM0G3505 , MSPM0G3506 , MSPM0G3507 , MSPM0G3507-Q1 , MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1228 , MSPM0L1303 , MSPM0L1304 , MSPM0L1304-Q1 , MSPM0L1305 , MSPM0L1305-Q1 , MSPM0L1306 , MSPM0L1306-Q1 , MSPM0L1343 , MSPM0L1344 , MSPM0L1345 , MSPM0L1346 , MSPM0L2228

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1I、C 和 t 之间的关系
  5. 2应用场景
  6. 3公式的推导
  7. 4实验验证
    1. 4.1 测试环境设置
    2. 4.2 实验结果
  8. 5注释

4.2 实验结果

图 4-3 是 MCU 在 run0 模式下运行时的工作电流实验结果。EnergyTrace 和直接测量都显示 run0 电流约为 1.5mA。

GUID-9A3E852E-BE55-499A-9909-A8C001544BC9-low.png图 4-3 run0 模式下 MCU 的工作电流

使用逻辑分析仪监控 MCU2 的电源，结果如图所示。通道 1 标识 GPIO 端口，当设置为低电平时，MCU1 的 GPIO 处于高阻抗状态，MCU2 仅由电容器供电。通道 2 是电容器两侧的电压，即 MCU 的电源电压。从图中可以看出，当电压从 3.3V 降至 1.61V 时，持续时间约为 2.66ms，接近 2.56ms 的理论计算值。

GUID-40A39705-B8E2-4B38-8BC3-02CB8BF549D8-low.png图 4-4 MCU 在 run0 模式下的运行时间

表 4-1 以表格形式汇总了不同电容器在各种工作模式下的工作时间。

表 4-1 不同工作模式下的测试结果汇总
电容器 STOP0 I=0.32mA RUN0 I=1.5mA
类型 电容 测量时间 计算时间 测量时间 计算时间
钽电容器
TAJA225K010RNJ		 2.2μF 12.01ms 11.55ms 2.66ms 2.56ms
钽电容器
TAJA475K010RNJ		 4.7μF 23.29ms 24.68ms 5.10ms 5.48ms
钽电容器
TAJA106K010RNJ		 10μF 56.72ms 56.00ms 12.33ms 11.67ms
电解电容器
ASLI-D37		 10μF 53.79ms 56.00ms 11.35ms 11.67ms
电解电容器
ASLI-E13		 40μF 278.95ms 263.2ms 57.59ms 54.33ms
陶瓷电容器
GRM21BR61A		 2μF 12.15ms 11.2ms 12.15ms 11.20ms
陶瓷电容器
GRM21BR61A		 4.3μF 22.76ms 22.58ms 4.88ms 5.02ms
陶瓷电容器
GRM21BR61A		 6.3μF 34.08ms 33.08ms 7.30ms 7.35ms

从表中可以看出，理论计算值与实际测量值基本一致。出现一些误差的原因可能是：电容误差值；电表笔存在漏电情况；电缆阻抗、能量损耗等。但该误差在合理的范围内。