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TAS2x63QFN 原理图和布局指南
本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。
摘要
更新的 PCB 截图显示改进了引脚 28 的 GND 连接
在音频应用中，务必最大限度地减少可能由外部条件甚至由 PCB 相同元件导致的噪声影响。所有音频放大器要实现卓越性能，都离不开干净稳定的电源。任何电源噪声问题都可能导致高 THD+N 和 SNR。此外，模拟输入和输出也要求具有良好的抗噪性能，不受附近器件数字活动的影响。
本文档介绍了 TAS2x63 器件在单声道配置中的优化布局。这些布局指南旨在最大限度地减少噪声问题并确保出色的器件性能，
本建议指南引用 TAS2x63EVM 展开介绍。
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1 布局指南
1.2 VBAT
VBAT 为电池电源的输入端，进行内部升压时会承载相当大的电流。VBAT 迹线可分为两条，一条为升压电感器供电（高电流），另一条从器件为 VBAT 引脚供电（低电流）。必须对 VBAT 电源的每个终端进行去耦，因此去耦电容器必须放置在升压电感器和 IC 的 VBAT 引脚附近。
必须使用容值至少为 0.1uF 和 10uF 的电容器将 VBAT 旁路至靠近升压电感器的 GND，且必须使用容值至少为 1uF 的电容器将 VBAT 旁路至靠近 IC 的 VBAT 引脚的 GND。
对于 VBAT，务必考虑以下建议：
包括额外大容量电容器，在高功率下降低总体 THD+N，最重要的是使用低 VBAT 电压电平。
VBAT 采用宽迹线，以便应对总输出功率。
请勿在器件引脚、电感器端子和相关电容器之间使用过孔。
图 1-4 VBAT 连接1.3 DREG
DREG 为数字核心稳压器的输出端。该引脚必须经 1µF 电容器旁路至 GND，且不能连接至外部负载。TI 建议，在该 DREG 引脚和 GND 之间，要确保去耦电容器两端的电感尽量低。建议使用多个过孔来降低电感。有关详细信息，请参阅去耦电容器一节。
图 1-5 DREG 连接
