更新的 PCB 截图显示改进了引脚 28 的 GND 连接
在音频应用中,务必最大限度地减少可能由外部条件甚至由 PCB 相同元件导致的噪声影响。所有音频放大器要实现卓越性能,都离不开干净稳定的电源。任何电源噪声问题都可能导致高 THD+N 和 SNR。此外,模拟输入和输出也要求具有良好的抗噪性能,不受附近器件数字活动的影响。
本文档介绍了 TAS2x63 器件在单声道配置中的优化布局。这些布局指南旨在最大限度地减少噪声问题并确保出色的器件性能,
本建议指南引用 TAS2x63EVM 展开介绍。
Other TMs
VBAT 为电池电源的输入端,进行内部升压时会承载相当大的电流。VBAT 迹线可分为两条,一条为升压电感器供电(高电流),另一条从器件为 VBAT 引脚供电(低电流)。必须对 VBAT 电源的每个终端进行去耦,因此去耦电容器必须放置在升压电感器和 IC 的 VBAT 引脚附近。
必须使用容值至少为 0.1uF 和 10uF 的电容器将 VBAT 旁路至靠近升压电感器的 GND,且必须使用容值至少为 1uF 的电容器将 VBAT 旁路至靠近 IC 的 VBAT 引脚的 GND。
对于 VBAT,务必考虑以下建议:
包括额外大容量电容器,在高功率下降低总体 THD+N,最重要的是使用低 VBAT 电压电平。
VBAT 采用宽迹线,以便应对总输出功率。
请勿在器件引脚、电感器端子和相关电容器之间使用过孔。
DREG 为数字核心稳压器的输出端。该引脚必须经 1µF 电容器旁路至 GND,且不能连接至外部负载。TI 建议,在该 DREG 引脚和 GND 之间,要确保去耦电容器两端的电感尽量低。建议使用多个过孔来降低电感。有关详细信息,请参阅去耦电容器一节。