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  • TAS2x63QFN 原理图和布局指南

    • ZHCABL1A December   2020  – January 2022 TAS2563

       

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  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1布局指南
    1. 1.1  典型应用电路
    2. 1.2  VBAT
    3. 1.3  DREG
    4. 1.4  GREG
    5. 1.5  PVDD 和 VBST
    6. 1.6  VDD
    7. 1.7  IOVDD
    8. 1.8  输出引脚
    9. 1.9  感测引脚
    10. 1.10 数字部分
    11. 1.11 接地平面
  4. 2原理图
    1. 2.1 推荐的外部组件
  5. 3去耦电容器
  6. 4修订历史记录
  7. 重要声明
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APPLICATION NOTE

TAS2x63QFN 原理图和布局指南

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见,TI 提供了译文;由于翻译过程中可能使用了自动化工具,TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性,请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本(控制文档)。

摘要

更新的 PCB 截图显示改进了引脚 28 的 GND 连接

在音频应用中,务必最大限度地减少可能由外部条件甚至由 PCB 相同元件导致的噪声影响。所有音频放大器要实现卓越性能,都离不开干净稳定的电源。任何电源噪声问题都可能导致高 THD+N 和 SNR。此外,模拟输入和输出也要求具有良好的抗噪性能,不受附近器件数字活动的影响。

本文档介绍了 TAS2x63 器件在单声道配置中的优化布局。这些布局指南旨在最大限度地减少噪声问题并确保出色的器件性能,

本建议指南引用 TAS2x63EVM 展开介绍。

商标

Other TMs

1 布局指南

1.1 典型应用电路

图 1-1 所示为 TAS2563 器件的典型应用方框图。

GUID-20201210-CA0I-PP2W-FXM4-P398RX3K7MFV-low.gif图 1-1 TAS2x63 方框图

图 1-2 和 图 1-3 所示为元件在 PCBA 参考布局中的位置。

GUID-20201210-CA0I-XHDR-HQDM-FZWRFFMZFHMQ-low.png图 1-2 TAS2x63EVM 元件位置
GUID-20201210-CA0I-XMQB-SGTQ-SCJNJGQ0WQBF-low.png图 1-3 TAS2x63EVM 元件位置(3D 视图)

1.2 VBAT

VBAT 为电池电源的输入端,进行内部升压时会承载相当大的电流。VBAT 迹线可分为两条,一条为升压电感器供电(高电流),另一条从器件为 VBAT 引脚供电(低电流)。必须对 VBAT 电源的每个终端进行去耦,因此去耦电容器必须放置在升压电感器和 IC 的 VBAT 引脚附近。

必须使用容值至少为 0.1uF 和 10uF 的电容器将 VBAT 旁路至靠近升压电感器的 GND,且必须使用容值至少为 1uF 的电容器将 VBAT 旁路至靠近 IC 的 VBAT 引脚的 GND。

对于 VBAT,务必考虑以下建议:

  • 包括额外大容量电容器,在高功率下降低总体 THD+N,最重要的是使用低 VBAT 电压电平。

  • VBAT 采用宽迹线,以便应对总输出功率。

  • 请勿在器件引脚、电感器端子和相关电容器之间使用过孔。

GUID-20201210-CA0I-DMS7-XMDN-K8JPV9CTJMQC-low.png图 1-4 VBAT 连接

1.3 DREG

DREG 为数字核心稳压器的输出端。该引脚必须经 1µF 电容器旁路至 GND,且不能连接至外部负载。TI 建议,在该 DREG 引脚和 GND 之间,要确保去耦电容器两端的电感尽量低。建议使用多个过孔来降低电感。有关详细信息,请参阅去耦电容器一节。

GUID-20201210-CA0I-9WNV-TDHP-5LK4K89TNGV0-low.png图 1-5 DREG 连接

 

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