ZHCAB24 August   2020 AM68 , AM68A , AM69 , AM69A , DRA829J , DRA829V , TDA4VM , TDA4VM-Q1

 

  1.   商标
  2. 1引言
    1. 1.1 本文档中使用的首字母缩写词
  3. 2 调优算法
    1. 2.1 通过区域
    2. 2.2 温度对通过区域的影响
    3. 2.3 算法

温度对通过区域的影响

SoC 芯片温度会影响 IO 延迟,导致通过区域的大小和位置发生变化,如图 2-2 中所示。

GUID-20200710-SS0I-BDLB-J7JS-KZBRNQCKPMHV-low.gif图 2-2 温度对通过区域的影响

两个通过区域之间的边界随温度而移动。如果该边界在运行期间偏移并跨越选定的调优点,则从 OSPI 控制器读取数据的操作将无法读取正确的数据。图 2-2 示出了一个放置不当的调优点的示例。左图示出了低温下的调优。随着温度升高,IO 延迟会增加,导致往返延迟增加。TX 和 RX PDL 值保持不变,因此,在高温下,采样点将处于错误的 ref_clk 周期。为此,OSPI 调优算法识别最大的通过区域,并选择一个远离 ref_clk 周期之间移动边界的 TX/RX 组合。