ZHCAAM1B May 2018 – August 2021 MSP430FR2000 , MSP430FR2032 , MSP430FR2033 , MSP430FR2100 , MSP430FR2110 , MSP430FR2111 , MSP430FR2153 , MSP430FR2155 , MSP430FR2310 , MSP430FR2311 , MSP430FR2353 , MSP430FR2355 , MSP430FR2422 , MSP430FR2433 , MSP430FR2475 , MSP430FR2476 , MSP430FR2512 , MSP430FR2522 , MSP430FR2532 , MSP430FR2533 , MSP430FR2632 , MSP430FR2633 , MSP430FR2672 , MSP430FR2673 , MSP430FR2675 , MSP430FR2676 , MSP430FR4131 , MSP430FR4132 , MSP430FR4133 , MSP430FR5720 , MSP430FR5721 , MSP430FR5722 , MSP430FR5723 , MSP430FR5724 , MSP430FR5725 , MSP430FR5726 , MSP430FR5727 , MSP430FR5728 , MSP430FR5729 , MSP430FR5730 , MSP430FR5731 , MSP430FR5732 , MSP430FR5733 , MSP430FR5734 , MSP430FR5735 , MSP430FR5736 , MSP430FR5737 , MSP430FR5738 , MSP430FR5739 , MSP430FR5847 , MSP430FR58471 , MSP430FR5848 , MSP430FR5849 , MSP430FR5857 , MSP430FR5858 , MSP430FR5859 , MSP430FR5867 , MSP430FR58671 , MSP430FR5868 , MSP430FR5869 , MSP430FR5870 , MSP430FR5872 , MSP430FR58721 , MSP430FR5887 , MSP430FR5888 , MSP430FR5889 , MSP430FR58891 , MSP430FR5922 , MSP430FR59221 , MSP430FR5947 , MSP430FR59471 , MSP430FR5948 , MSP430FR5949 , MSP430FR5957 , MSP430FR5958 , MSP430FR5959 , MSP430FR5962 , MSP430FR5964 , MSP430FR5967 , MSP430FR5968 , MSP430FR5969 , MSP430FR59691 , MSP430FR5970 , MSP430FR5972 , MSP430FR59721 , MSP430FR5986 , MSP430FR5987 , MSP430FR5988 , MSP430FR5989 , MSP430FR59891 , MSP430FR5992 , MSP430FR5994 , MSP430FR59941
单个 FRAM 单元可被视为一个偶极电容器,它由两个电极板之间的铁电材料(铁电晶振)薄膜构成。存储“1”或“0”时(写入 FRAM 时),只需使用电场将晶振向特定方向极化。这使得 FRAM 速度非常快,易于写入,能够充分满足高擦写次数的要求。
与写入时类似,从 FRAM 中读取也需要在电容器上施加一个电场。根据晶振的状态,可将其重新极化,从而释放出一个大感应电荷。这个电荷随即与一个已知基准进行对比,从而判断晶振所处的状态。存储的数据位“1”或“0”从感应电荷推断得出。在读取数据的过程中,按施加的电场方向极化的晶振会失去当前的状态。每次读取后都必须进行回写操作,以恢复存储位置的状态。对于 TI 的 MSP430 FRAM MCU,这是 FRAM 实施方案所固有的特性,对应用而言是完全透明的。回写机制还可防止断电,并在所有断电事件中安全完成。
FR59xx 电源管理系统通过在断电时将 FRAM 电源轨与器件电源轨隔离开来实现这一目的。FRAM 电源电路还使用内置低压降稳压器 (LDO) 和一个电容器,该电容器存储足够的电荷以在发生电源故障时完成当前回写操作。