ZHCSML8B June   2021  – August 2021 DRV8212

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 器件比较
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 额定值
    3. 7.3 建议工作条件
    4. 7.4 热信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 典型特性 DSG 封装
    7. 7.7 典型特性 DRL 封装
  8. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 外部元件
      2. 8.3.2 控制模式
        1. 8.3.2.1 PWM 控制模式(DSG:MODE = 0 和 DRL)
        2. 8.3.2.2 PH/EN 控制模式(DSG:MODE = 1)
        3. 8.3.2.3 半桥控制模式(DSG:MODE = 高阻态)
      3. 8.3.3 保护电路
        1. 8.3.3.1 电源欠压锁定(UVLO)
        2. 8.3.3.2 OUTx 过流保护(OCP)
        3. 8.3.3.3 热关断(TSD)
      4. 8.3.4 引脚图
        1. 8.3.4.1 逻辑电平输入
        2. 8.3.4.2 三电平输入
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 工作模式
      2. 8.4.2 低功耗睡眠模式
      3. 8.4.3 故障模式
  9. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 全桥驱动
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 电源电压
          2. 9.2.1.2.2 控制接口
          3. 9.2.1.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 半桥驱动
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
          1. 9.2.2.2.1 电源电压
          2. 9.2.2.2.2 控制接口
          3. 9.2.2.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.2.3 应用曲线
      3. 9.2.3 双线圈继电器驱动
        1. 9.2.3.1 设计要求
        2. 9.2.3.2 详细设计过程
          1. 9.2.3.2.1 电源电压
          2. 9.2.3.2.2 控制接口
          3. 9.2.3.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.3.3 应用曲线
      4. 9.2.4 电流检测
        1. 9.2.4.1 设计要求
        2. 9.2.4.2 详细设计过程
          1. 9.2.4.2.1 分流电阻器大小调整
          2. 9.2.4.2.2 RC 滤波器
    3. 9.3 电流能力和热性能
      1. 9.3.1 功率耗散和输出电流能力
      2. 9.3.2 热性能
        1. 9.3.2.1 稳态热性能
        2. 9.3.2.2 瞬态热性能
  10. 10电源建议
    1. 10.1 大容量电容
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • N 沟道 H 桥电机驱动器
    • MOSFET 导通电阻:HS + LS 280mΩ
    • 可驱动一个双向有刷直流电机
    • 两个单向有刷直流电机
    • 一个单线圈或双线圈闭锁继电器
    • 推挽式和双稳态螺线管
    • 其他电阻、电感或 LED 负载
  • 1.65V 至 11V 工作电源电压范围
  • 高输出电流能力:
    • 全桥:4A 峰值
    • 半桥:每个输出 4A 峰值
    • 并联半桥:8A 峰值
  • 多个接口可实现灵活性并减少 GPIO
  • 标准脉宽调制 (PWM) 接口(IN1/IN2)

  • 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 超低功耗休眠模式
    • 在 VVM = 5V,VVCC = 3.3V,TJ = 25°C 时 <84.5nA
    • 定时自动睡眠模式以减少 GPIO
  • 保护特性
    • 欠压锁定(UVLO)
    • 过流保护(OCP)
    • 热关断(TSD)
  • 器件系列。请参阅器件比较表了解详细信息。
    • DRV8210:1.65-11V,1Ω,多接口
    • DRV8210P:睡眠引脚,PWM 接口
    • DRV8212:1.65-11V,280mΩ,多接口
    • DRV8212P:睡眠引脚,PWM 接口
    • DRV8220:4.5-18V,1Ω,多接口