ZHCSGD9 June   2017 UCC28730-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Timing Requirements
    7. 6.7 Switching Characteristics
    8. 6.8 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Detailed Pin Description
        1. 7.3.1.1 VDD (Device Bias Voltage Supply)
        2. 7.3.1.2 GND (Ground)
        3. 7.3.1.3 HV (High Voltage Startup)
        4. 7.3.1.4 DRV (Gate Drive)
        5. 7.3.1.5 CBC (Cable Compensation)
        6. 7.3.1.6 VS (Voltage Sense)
        7. 7.3.1.7 CS (Current Sense)
      2. 7.3.2 Primary-Side Regulation (PSR)
      3. 7.3.3 Primary-Side Constant Voltage Regulation
      4. 7.3.4 Primary-Side Constant Current Regulation
      5. 7.3.5 Wake-Up Detection and Function
      6. 7.3.6 Valley-Switching and Valley-Skipping
      7. 7.3.7 Startup Operation
      8. 7.3.8 Fault Protection
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Stand-By Power Estimate
        2. 8.2.2.2 Input Bulk Capacitance and Minimum Bulk Voltage
        3. 8.2.2.3 Transformer Turns Ratio, Inductance, Primary-Peak Current
        4. 8.2.2.4 Transformer Parameter Verification
        5. 8.2.2.5 Output Capacitance
        6. 8.2.2.6 VDD Capacitance, CVDD
        7. 8.2.2.7 VS Resistor Divider, Line Compensation, and Cable Compensation
        8. 8.2.2.8 VS Wake-Up Detection
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 Do's and Don'ts
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 器件命名规则
        1. 11.1.1.1  电容术语（以法拉为单位）
        2. 11.1.1.2  占空比相关术语
        3. 11.1.1.3  频率术语（以赫兹为单位）
        4. 11.1.1.4  电流术语（以安培为单位）
        5. 11.1.1.5  电流和电压调节术语
        6. 11.1.1.6  变压器术语
        7. 11.1.1.7  功率术语（以瓦特为单位）
        8. 11.1.1.8  电阻术语（以 Ω 为单位）
        9. 11.1.1.9  时序术语（以秒为单位）
        10. 11.1.1.10 直流电压术语（以伏特为单位）
        11. 11.1.1.11 交流电压术语（以伏特为单位）
        12. 11.1.1.12 效率术语
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 社区资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

11 器件和文档支持

11.1 器件支持

11.1.1 器件命名规则

11.1.1.1 电容术语（以法拉为单位）

  • CBULK：CB1 和 CB2 的总输入电容
  • CVDD：VDD 引脚所需的最小电容
  • COUT：所需的最小输出电容

11.1.1.2 占空比相关术语

  • DMAGCC：CC 模式下二次侧二极管导通占空比，0.432
  • DMAX：允许的最大 MOSFET 导通时间占空比
  • NHC：线路降压期间交流线路频率的半周期数

11.1.1.3 频率术语（以赫兹为单位）

  • fLINE：最小线路频率
  • fMAX：转换器在满载条件下的最高开关频率
  • fMIN：转换器的实际最小开关频率
  • fSW(max)：控制器的最大开关频率（请参阅Electrical Characteristics）
  • fSW(min)：控制器的最小开关频率（请参阅Electrical Characteristics）

11.1.1.4 电流术语（以安培为单位）

11.1.1.5 电流和电压调节术语

11.1.1.6 变压器术语

  • LP：变压器初级电感
  • NAS：变压器辅助绕组与二次侧绕组匝数比
  • NPA：变压器一次侧绕组与辅助绕组匝数比
  • NPS：变压器一次侧绕组与二次侧绕组匝数比

11.1.1.7 功率术语（以瓦特为单位）

  • PIN：满载时转换器的最大输入功率
  • POUT：满载时转换器的输出功率
  • PSTBY：待机时转换器的总输入功率

11.1.1.8 电阻术语（以 Ω 为单位）

  • RCS：一次侧电流编程电阻
  • RESR：输出电容的总 ESR
  • RPL：转换器输出端的预载电阻
  • RS1：高侧 VS 输入电阻
  • RS2：低侧 VS 输入电阻

11.1.1.9 时序术语（以秒为单位）

  • tD：总电流感测延迟（包括 MOSFET 关断延迟）；在 MOSFET 延迟基础上增加 50ns
  • tDMAG(min)：二次侧整流器最短导通时间（变压器消磁时间）
  • tON(min)：MOSFET 最短导通时间
  • tR：tDMAG 之后的谐振环周期

11.1.1.10 直流电压术语（以伏特为单位）

  • VBULK：用于待机功耗测量的大容量电容最高电压
  • VBULK(min)：满功率条件下大容量电容的最小谷值电压
  • VOCBC：输出引脚的目标电缆补偿电压
  • VCBC(max)：最大输出电流条件下 CBC 引脚的最高电压（请参阅Electrical Characteristics）
  • VCCR：恒流调节系数电压（请参阅Electrical Characteristics）
  • VCST(max)：CS 引脚最大电流感测阈值（请参阅Electrical Characteristics）
  • VCST(min)：CS 引脚最小电流感测阈值（请参阅Electrical Characteristics）
  • VVDD(off)：UVLO 阈值关断电压（请参阅Electrical Characteristics）
  • VVDD(on)：UVLO 阈值接通电压（请参阅Electrical Characteristics）
  • VVDD(maxΔ)：等待状态下开关周期间的最大 VDD 压降
  • VOΔ：输出负载瞬态期间允许的输出压降
  • VDSPK：高压线条件下的 MOSFET 漏源电压峰值
  • VF：电流接近零时的二次侧整流器正向压降
  • VFA：辅助整流器正向压降
  • VLK：估计的一次侧漏感能量复位电压
  • VOCV：转换器稳压输出电压
  • VOCC：恒流稳压条件下的最低目标输出电压
  • VREV：二次侧整流器的反向峰值电压
  • VRIPPLE：满载条件下的输出峰峰值纹波电压
  • VVSR：VS 输入端的恒压调节电平（请参阅Electrical Characteristics）
  • ΔVCQ：开关周期间允许的负载放电 COUT 电压变化

11.1.1.11 交流电压术语（以伏特为单位）

  • VIN(max)：转换器的最大交流输入电压
  • VIN(min)：转换器的最小交流输入电压
  • VIN(run)：转换器的启动（运行）输入电压

11.1.1.12 效率术语

  • ηSB：当反激式转换器输出功率为零时估计的内部预载功率效率。此效率的计算方式为：通过 RPL 耗散的转换器内部预载功率除以转换器在待机状况下的总输入功率 (PSTBY)。在设计开始可使用估计值 50%。
  • η：转换器全额输出功率条件下的总体效率
  • ηXFMR：变压器的功率传输效率

11.2 文档支持

11.2.1 相关文档

  • 用于快速瞬态 PSR 的 UCC24650 200V 唤醒监控器，SLUSBL6
  • 具有 CVCC 和唤醒监控功能的 UCC28730 零功耗待机 PSR 反激式控制器，SLUSBL5
  • 《UCC28730EVM-552 EVM 用户指南，使用 UCC28730EVM-552》，SLUUB75

11.3 接收文档更新通知

要接收文档更新通知，请导航至德州仪器 TI.com.cn 上的器件产品文件夹。请单击右上角的通知我 进行注册，即可收到任意产品信息更改每周摘要。有关更改的详细信息，请查看任意已修订文档中包含的修订历史记录。

11.4 社区资源

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    TI E2E™ 在线社区 TI 的工程师对工程师 (E2E) 社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在 e2e.ti.com 中，您可以咨询问题、分享知识、拓展思路并与同行工程师一道帮助解决问题。
    设计支持 TI 参考设计支持 可帮助您快速查找有帮助的 E2E 论坛、设计支持工具以及技术支持的联系信息。

11.5 商标

E2E is a trademark of Texas Instruments.

11.6 静电放电警告

esds-image

这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极遭受静电损伤。

11.7 Glossary

SLYZ022 — TI Glossary.

This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.