ZHCSHG1C October   2017  – February 2018 UCC28056

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     待机功耗
      1.      Device Images
        1.       简化应用
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     SOT-23 的
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 7 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能框图
    3. 7.3 特性 说明
      1. 7.3.1 CrM/DCM 控制原理
      2. 7.3.2 线电压前馈
        1. 7.3.2.1 峰值线电压检测
      3. 7.3.3 谷值开关和 CrM/DCM 滞回
        1. 7.3.3.1 谷值延迟调整
      4. 7.3.4 具有瞬态加速功能的跨导放大器
      5. 7.3.5 故障和保护
        1. 7.3.5.1 电源欠压锁定
        2. 7.3.5.2 两级过流保护
          1. 7.3.5.2.1 逐周期电流限制 Ocp1
          2. 7.3.5.2.2 Ocp2 总电流过流或 CCM 保护
        3. 7.3.5.3 输出过压保护
          1. 7.3.5.3.1 一级输出过压保护 (Ovp1)
          2. 7.3.5.3.2 二级输出过压保护 (Ovp2)
        4. 7.3.5.4 热关断保护
        5. 7.3.5.5 线路欠压或者低压启动
      6. 7.3.6 高电流驱动器
    4. 7.4 控制器功能模式
      1. 7.4.1 间歇模式运行
      2. 7.4.2 软启动
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计流程
        1. 8.2.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计
        2. 8.2.2.2 功率级设计
          1. 8.2.2.2.1 升压电感器设计
          2. 8.2.2.2.2 升压开关选择
          3. 8.2.2.2.3 升压二极管选择
          4. 8.2.2.2.4 输出电容器选择
        3. 8.2.2.3 ZCD/CS 引脚
          1. 8.2.2.3.1 ZCD/CS 引脚波形上的电压尖峰
        4. 8.2.2.4 VOSNS 引脚
        5. 8.2.2.5 电压环路补偿
          1. 8.2.2.5.1 设备模型
          2. 8.2.2.5.2 补偿器设计
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 9 电源建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
      1. 10.1.1 VOSNS 引脚
      2. 10.1.2 ZCD/CS 引脚
      3. 10.1.3 VCC 引脚
      4. 10.1.4 接地引脚
      5. 10.1.5 DRV 引脚
      6. 10.1.6 COMP 引脚
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.2.2.2.2 升压开关选择

功率开关在打开期间 (TON) 承载升压电感器电流。在关闭期间 (TDCH) 不承载电流。Equation 28 表示在线路半周期中，角度为 θ 时，在一个开关周期中的开关 RMS 电流。

Equation 28. UCC28056 eq-28.gif

Equation 29 表示在理想临界模式 (CrM) 运行条件下的开关导通的占空比。

Equation 29. UCC28056 eq-29.gif

开关打开时间在整个输入线电压周期中保持恒定，但关闭时间根据在输入线电压位置不同而决定。一个开关周期升压电感的伏秒平衡需要满足如下公式：

Equation 30. UCC28056 eq-30.gif

Equation 31 计算开关导通的占空比。

Equation 31. UCC28056 eq-31.gif

Equation 32 表示在一个完整的线路半周期中的 RMS 开关电流。

Equation 32. UCC28056 eq-32.gif

在最大负载和最小线电压下，开关中的 RMS 电流最大。

Equation 33. UCC28056 eq-33.gif

按照以下原则选择升压开关的 MOSFET。

  • 额定电压必须大于最大输出电压。在瞬变或线路浪涌测试下，输出电压可以超过正常稳压电平。在本设计示例中，650V 的 MOSFET 额定电压支持 390V 的稳压输出电压。
  • 基于 MOSFET 中可接受的导通损耗水平，根据最大 RMS 电流可以计算所需的导通电阻 (rDS(on)) 值。本示例设计选择的是 STMicrolelectronics 的 STF24N60DM2 MOSFET，该器件导通电阻为0.37Ω，当 TJ = 125°C 时，允许在MOSFET中产生最大的导通功率损耗（小于1.7W）。
  • 为了达到最高的效率，使用具有快速体二极管的 MOSFET。如果使用具有慢速体二极管的 MOSFET，并且工作在低输入电压电流断续模式 (DCM) 下工作会导致额外的开关功率损耗。