ZHCSJJ9A april   2019  – december 2020 UC1825B-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 Revision History
  6. 5 Pin Configuration and Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Control Methods
      2. 7.3.2 Synchronization
      3. 7.3.3 High Current Outputs
      4. 7.3.4 Open Loop Test Circuit
    4. 7.4 Device Functional Modes
  9. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 System Design Theory
        1. 8.2.1.1 Switching Frequency
        2. 8.2.1.2 Transformer
        3. 8.2.1.3 RCD and Diode Clamp
        4. 8.2.1.4 Output Diode
        5. 8.2.1.5 Main Switching MOSFETs
        6. 8.2.1.6 Output Filter and Capacitance
        7. 8.2.1.7 Compensation
        8. 8.2.1.8 Sense Resistor
    3. 8.3 Application Curves
  10. 9 Power Supply Recommendations
  11. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
      1. 10.1.1 Feedback Traces
      2. 10.1.2 Input/Output Capacitors
      3. 10.1.3 Compensation Components
      4. 10.1.4 Traces and Ground Planes
      5. 10.1.5 Ground Planes
    2. 10.2 Layout Example
  12. 11Device and Documentation Support
    1. 11.1 Documentation Support
      1. 11.1.1 Related Documentation
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 Trademarks
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

UC1825B-SP PWM 控制器件针对高频开关模式电源应用进行了优化。对在大大增加误差放大器的带宽和转换率的同时，大大减小通过比较器和逻辑电路的传播延迟给与了特别关注。这个控制器设计用于电流模式或电压模式系统，此系统具有输出电压前馈功能。

保护电路包括一个阈值电压为 1V 的电流限制比较器、一个 TTL 兼容关断端口和一个软启动引脚，此引脚可对折为一个最大占空比钳位。此逻辑被完全锁存以提供无抖动运行，并且抑制了输出上的多脉冲。一个具有 800mV 滞后的欠压闭锁部分可确保低启动电流。欠压闭锁期间，输出为高阻抗。

这个器件特有推挽式输出，此输出被设计用来拉、灌来自电容负载（诸如一个功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的栅极）的高峰值电流。导通状态设计为高电平。

器件信息
器件型号(1) 等级(2) 封装
5962R8768106VYC 飞行等级 QMLV-RHA 100krad(Si) CFP (16)
10.16mm x 7.10mm
UC1825BHKT/EM 工程样片(3)
5962R8768106V9A 飞行等级 QMLV-RHA KGD 100krad(Si) 裸片
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
(2) 有关器件等级的其他信息，请查看 SLYB235。
(3) 这些器件仅适用于工程评估。器件按照不合规的流程进行加工处理。这些器件不适用于鉴定、生产、辐射测试或飞行用途。这些零器件无法在 –55°C 至 125°C 的完整 MIL 额定温度范围内或运行寿命中保证其性能。