ZHCSCP8 August 2014 TRPGP40ATGC
PRODUCTION DATA.
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These devices have limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.
接收方同意:如果美国或其他适用法律限制或禁止将通过本协议的披露方获得的任何产品或技术数据(其中包括软件)(见美国、欧盟和其他出口管理条例之定义)、或者其他适用国家条例限制的任何受管制产品或此项技术的任何直接产品出口或再出口至任何目的地,那么在没有事先获得美国商务部和其他相关政府机构授权的情况下,接收方不得在知情的情况下,以直接或间接的方式将其出口。