ZHCSQ42A December   2023  – January 2024 TPS61289

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议工作条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 双向运行配置
      2. 6.3.2 VCC 电源
      3. 6.3.3 VHIGH 和 VCC 欠压锁定 (UVLO)
      4. 6.3.4 使能和可编程 EN/UVLO
      5. 6.3.5 开关频率
      6. 6.3.6 可编程开关峰值和谷值电流限制
      7. 6.3.7 外部时钟同步
      8. 6.3.8 VHIGH 过压保护
      9. 6.3.9 热关断
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 自举电容器选型
        2. 7.2.2.2 电感器选型
        3. 7.2.2.3 MOSFET 选型
        4. 7.2.2.4 VLOW/VHIGH 输出电容器选型
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
        1. 7.4.2.1 散热注意事项
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.2.2.3 MOSFET 选型

所选的外部功率 MOSFET 必须具有能够承受最大 VHIGH 电压和瞬态尖峰（振铃）的 VDS 额定值。确定额定电压后，通过在 MOSFET RDS(ON) 和总栅极电荷 (Qg) 之间进行权衡来选择 MOSFET，以平衡导通损耗和开关损耗。注意死区时间限制，验证低侧和高侧 MOSFET 没有同时导通。添加串联栅极电阻器时要格外小心，因为这可能导致有效死区时间缩短。该器件的 MOSFET 栅极驱动器电流由 VCC 供电。最大栅极电荷受限于 15mA VCC 拉电流限制。此高开关频率设计优先选用无引线封装。