ZHCSQF5 June   2022 TPS53625

PRODUCTION DATA  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4Revision History
  5. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 接收文档更新通知
    2. 5.2 支持资源
    3. 5.3 Trademarks
    4. 5.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 5.5 术语表
  6. 6Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

说明

TPS53625 器件是一款无驱动器、完全符合 SVID 标准的 VR12.0 降压控制器。高级控制特性(例如 D-CAP+ 架构)借助重叠脉冲支持下冲衰减 (USR) 和过冲衰减 (OSR),可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。TPS53625 器件还支持在 CCM 或 DCM 运行情况下进行单相运行,从而提高轻负载情况下的效率。TPS53625 器件集成了完整的 VR12.0 I/O 功能,包括 VR_READY (PGOOD)、ALERTVR_HOT。SVID 接口地址允许在 0 到 7 的时间范围内进行编程。VOUT 压摆率和电压定位的可调节控制完善了 VR12.0 功能。
与 TPS51604 FET 栅极驱动器配合使用时,该解决方案可提供超高速度和低开关损耗。TPS53625 器件与选定的 TI 功率级产品以及 DrMOS 产品一起使用,可实现出色效率。TPS53625 器件以 1V 的默认启动电压运行。通过在设计中添加一个外部电阻分压器,应用可以覆盖默认启动电压。
TPS53625 器件采用节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装,可在 –40°C 到 105°C 温度下运行。
器件型号(1) 封装 封装尺寸(标称值)
TPS53625 VQFN (32) 4.00mm × 4.00mm
要了解所有可用封装,请参阅文档末尾的可订购产品附录。
GUID-F3787E8E-04D1-420B-8BE6-4800912CFA2D-low.gif图 3-1 简化版原理图