ZHCS264E MAY   2011  – July 2018 TPS51206

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      简化应用
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 VTT Sink and Source Regulator
      2. 7.3.2 VTTREF
      3. 7.3.3 VDD Undervoltage Lockout Protection
      4. 7.3.4 VTT Current Limit
      5. 7.3.5 Overtemperature Protection
      6. 7.3.6 Power On and Off Sequence
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Power State Control
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 VLDOIN = VDDQ Configuration
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
          1. 8.2.1.2.1 VDD Capacitor
          2. 8.2.1.2.2 VLDOIN Capacitor
          3. 8.2.1.2.3 VTTREF Capacitor
          4. 8.2.1.2.4 VTT Capacitor
          5. 8.2.1.2.5 VTTSNS Connection
          6. 8.2.1.2.6 VDDQSNS Connection
        3. 8.2.1.3 Application Curves
      2. 8.2.2 VLDOIN Separated from VDDQ Configuration
        1. 8.2.2.1 Design Requirements
        2. 8.2.2.2 Detailed Design Procedure
        3. 8.2.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
    3. 10.3 Thermal Considerations
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

TPS51206 器件是具有 VTTREF 缓冲基准输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部组件数的空间受限型系统而设计。该器件可保持快速的瞬态响应，并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。该器件支持遥感功能，并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态，在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态（挂起到 RAM）；在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电（挂起到磁盘）。

TPS51206 器件采用 10 引脚 2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD™封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
TPS51206 WSON (10) 2.00mm x 2.00mm
  1. 如需了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。