ZHCSSA0 june   2023 SN75LVPE3410

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4修订历史记录
  6. 5引脚配置和功能
  7. 6规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 直流电气特性
    6. 6.6 高速电气特性
    7. 6.7 SMBus/I2C 时序特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 7详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能模块图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 线性均衡
      2. 7.3.2 直流增益
      3. 7.3.3 接收器检测状态机
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 工作 PCIe 模式
      2. 7.4.2 工作缓冲模式
      3. 7.4.3 待机模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 控制和配置接口
        1. 7.5.1.1 引脚模式
          1. 7.5.1.1.1 四电平控制输入
        2. 7.5.1.2 SMBus/I2C 寄存器控制接口
  9. 8应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 PCIe x4 通道配置
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11.   机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.4.1 布局指南

设计布局布线时应遵循以下准则：

  1. 去耦电容应当尽量靠近 VDD 引脚。如果电路板设计允许，建议将去耦电容器放置在器件正下方。
  2. 高速差分信号 TXnP/TXnN 和 RXnP/RXnN 应紧密耦合、实现偏差匹配并通过阻抗控制。
  3. 高速差分信号应尽量远离过孔。当必须使用过孔时，请务必谨慎操作，通过在大多数层/所有层之间进行转换或背钻孔来更大限度地减少过孔残桩。
  4. 可以在高速差分信号焊盘下方使用 GND 消除（但不是必需的），以通过抵消焊盘电容来提高信号完整性。
  5. GND 过孔应直接放置于器件下方，以将器件所连的 GND 平面与其他层的 GND 平面相连。此举进一步提升了器件与电路板之间的导热性能。