ZHCSLK4R july   2004  – july 2023 LP2985 , LP2985A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 Revision History
  6. 5 Pin Configuration and Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Output Enable
      2. 7.3.2 Dropout Voltage
      3. 7.3.3 Current Limit
      4. 7.3.4 Undervoltage Lockout (UVLO)
      5. 7.3.5 Output Pulldown
      6. 7.3.6 Thermal Shutdown
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Device Functional Mode Comparison
      2. 7.4.2 Normal Operation
      3. 7.4.3 Dropout Operation
      4. 7.4.4 Disabled
  9. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
      1. 8.1.1 Recommended Capacitor Types
      2. 8.1.2 Input and Output Capacitor Requirements
      3. 8.1.3 Noise Bypass Capacitor (CBYPASS)
      4. 8.1.4 Reverse Current
      5. 8.1.5 Power Dissipation (PD)
      6. 8.1.6 Estimating Junction Temperature
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 ON/OFF Operation
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 Power Supply Recommendations
    4. 8.4 Layout
      1. 8.4.1 Layout Guidelines
      2. 8.4.2 Layout Example
  10. 9 Device and Documentation Support
    1. 9.1 Device Nomenclature
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 Trademarks
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • VIN 范围（新芯片）：2.5V 至 16V
  • VOUT 范围（新芯片）：
    • 1.2V 至 5.0V（固定值，100mV 阶跃）
  • VOUT 精度：
    • A 级旧芯片为 ±1%
    • 标准级旧芯片为 ±1.5%
    • ±0.5%（仅限新芯片）
  • 对于新芯片，在整个负载和温度范围内的输出精度为 ±1%
  • 输出电流：高达 150mA
  • 低 IQ（新芯片）：ILOAD = 0mA 时为 71μA
  • 低 IQ（新芯片）：ILOAD = 150mA 时为 750μA
  • 关断电流：
    • 旧芯片为 0.01μA（典型值）
    • 新芯片为 1.12μA（典型值）
  • 低噪声：30μVRMS，带 10nF 旁路电容器
  • 输出电流限制和热保护
  • 使用 2.2µF 陶瓷电容器实现稳定工作
  • 高 PSRR：1kHz 频率下为 70dB，1MHz 频率下为 40dB
  • 工作结温：–40°C 至 +125°C
  • 封装：5 引脚 SOT-23 (DBV)