ZHCSI73K September   2005  – May 2016 LMV651 , LMV652 , LMV654

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用范围
  3. 说明
    1.     Device Images
      1.      高增益宽带宽反相放大器
      2.      开环增益和相位与频率间的关系
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
    1.     SOT-23 的:LMV651
    2. Table 1. 引脚功能:LMV652、LMV654
  6. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 3V 直流电气特性
    6. 6.6 5V 直流电气特性
    7. 6.7 典型特性
  7. 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能框图
    3. 7.3 特性 说明
      1. 7.3.1 低电压和低功耗运行
      2. 7.3.2 宽带宽
      3. 7.3.3 低输入参考噪声
      4. 7.3.4 接地感应和轨至轨输出
      5. 7.3.5 小型尺寸
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 稳定性和容性负载
      2. 7.4.2 环路内补偿
      3. 7.4.3 外部电阻器补偿
  8. 以下一些应用中
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型 应用
      1. 8.2.1 高增益、低功耗反相放大器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计流程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 高增益、低功耗同相放大器
      3. 8.2.3 有源滤波器
    3. 8.3 注意事项
  9. 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 开发支持
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 相关链接
    4. 11.4 社区资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3V 直流电气特性

除非另有说明,否则所有限值均基于以下条件:TA = 25°C,V+ = 3V,V = 0V,VO = VCM = V+/2,且 RL > 1MΩ。
参数 测试条件 最小值(2) 典型值(1) 最大值(2) 单位
VOS 输入失调电压 0.1 ±1.5 mV
在额定温度范围内 2.7
TC VOS 输入失调平均漂移 6.6 μV/°C
IB 输入偏置电流(3) 80 120 nA
IOS 输入失调电流 2.2 15 nA
CMRR 共模抑制比 0 ≤ VCM≤ 2V 87 100 dB
在额定温度范围内 80
PSRR 电源抑制比 3V ≤ V+ ≤ 5V,VCM = 0.5V 87 95 dB
在额定温度范围内 81
2.7V ≤ V+ ≤ 5.5V,
VCM = 0.5V
87 95
在额定温度范围内 81
CMVR 输入共模电压范围 CMRR ≥ 75dB 0 2.1 V
CMRR ≥ 60dB,在额定温度范围内 0 2.1
AVOL 大信号电压增益 0.3V ≤ VO ≤ 2.7V,RL = 2kΩ(连接至 V+/2) 80 85 dB
0.4V ≤ VO ≤ 2.6V,RL = 2kΩ(连接至 V+/2),在额定温度范围内 76
0.3V ≤ VO ≤ 2.7V,RL = 10kΩ(连接至 V+/2) 86 93
0.4V ≤ VO ≤ 2.6V,RL = 10kΩ(连接至 V+/2),在额定温度范围内 83
VO 输出摆幅高 RL = 2kΩ(连接至 V+/2) 80 95 mV(相对于电源轨)
在额定温度范围内 120
RL = 10kΩ(连接至 V+/2) 45 50
在额定温度范围内 60
输出摆幅低 RL = 2kΩ(连接至 V+/2) 95 110
在额定温度范围内 125
RL = 10kΩ(连接至 V+/2) 60 65
在额定温度范围内 75
ISC 最大连续输出电流 拉电流(4) 17 mA
灌电流(4) 25
IS 电源电流(每个放大器) LMV651 115 140 μA
在额定温度范围内 175
LMV652 118 140
在额定温度范围内 175
LMV654 122 140
在额定温度范围内 175
SR 压摆率 AV = +1,10% 至 90%(5) 3.0 V/μs
GBW 增益带宽积 12 MHz
en 输入基准电压噪声 f = 100kHz 17 nV/√Hz
f = 1kHz 17
in 输入基准电流噪声 f = 100kHz 0.1 pA/√Hz
f = 1kHz 0.15
THD 总谐波失真 f = 1kHz,AV = 2,RL = 2kΩ 0.003%
典型值表示评定特性时确定的最有可能达到的参数标准。实际典型值可能会随时间推移而变化,而且还取决于应用和配置。已发货生产材料未进行这些典型值测试,无法确保符合这些典型值。
限值均在 25°C 下经过 100% 生产检测。使用统计质量控制 (SQC) 方法通过关联指定工作温度范围的限值。
正电流相当于流入器件的电流。
压摆率是上升压摆率和下降压摆率的平均值。
此部件不受短路保护,所以不建议在低电阻负载下运行。典型特性中提供典型的拉电流输出和灌电流输出曲线,在设计重负载之前应参考此曲线。