ZHCSI72C October   2003  – October 2016 LMV116 , LMV118

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
    1.     Device Images
      1.      典型应用
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
    1.     SOT-23 的
  6. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性:2.7V
    6. 6.6 电气特性:5V
    7. 6.7 电气特性:±5V
    8. 6.8 典型特性
  7. 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能框图
    3. 7.3 特性 说明
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 准饱和状态
      2. 7.4.2 微功耗关断
  8. 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用:2.7V 单电源 2:1 MUX
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计流程
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 电源建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 相关文档 
    2. 11.2 相关链接
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 社区资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

概述

LMV116 和 LMV118 基于 TI 的专有 VIP10 介质绝缘双极工艺。

LMV116 和 LMV118 架构 具有 以下特性:

  • 辅助双极器件即使在低电源电压 (2.7V) 和低集电极偏置电流下也具有非常高的 ft 值(约 8GHz)。
  • 共发射极推挽输出级具有 20mA 输出电流(相对于电源轨 0.5V),同时仅消耗 600μA 的总电源电流。使用此架构,在轻负载条件下输出可保持在任一电源轨的毫伏范围内。
  • 可针对最重要的规格(例如 BW、SR、IOUT 等)在任一电源电压(2.7V 至 10V)下实现一致的性能,且电源电压波动小。