ZHCSTV4 November   2023 LMG3612

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 GaN 功率 FET 开关参数
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 GaN 功率 FET 开关能力
      2. 7.3.2 导通压摆率控制
      3. 7.3.3 输入控制引脚（IN）
      4. 7.3.4 AUX 电源引脚
        1. 7.3.4.1 AUX 上电复位
        2. 7.3.4.2 AUX 欠压锁定 (UVLO)
      5. 7.3.5 过热保护
      6. 7.3.6 故障报告
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 导通压摆率设计
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 焊点应力消除
        2. 8.4.1.2 信号接地连接
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

1) 符号定义：ID = D 到 S 电流；IS = S 到 D 电流；2) 除非另有说明，否则电压、电阻和电容均以 AGND 为基准；–40°C ≤ TJ ≤ 125°C；10V ≤ VAUX ≤ 26V；VIN = 0V；RRDRV = 0Ω
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
GAN 功率 FET 
RDS(on) 漏源（D 到 S） 导通电阻 VIN = 5V，ID = 4.2A，TJ = 25°C 120 mΩ
VIN = 5V，ID = 4.2A，TJ = 125°C 214
IDSS 漏极（D 到 S）漏电流 VDS = 650V，TJ = 25°C 3 µA
VDS = 650V，TJ = 125°C 15
QOSS 输出（D 到 S）电荷 VDS = 400V 28.3 nC
COSS 输出（D 到 S）电容 43.9 pF
EOSS 输出（D 到 S）电容储存能量 3.74 µJ
COSS,er 与能量相关的有效输出（D 到 S）电容 46.7 pF
COSS,tr 与时间相关的有效输出（D 到 S）电容 VDS = 0V 到 400V 70.2 pF
QRR 反向恢复电荷 0 nC
IN
VIT+ 正向输入阈值电压 1.7 2.45 V
VIT– 负向输入阈值电压 0.7 1.3 V
输入阈值电压迟滞 1 V
下拉输入电阻 0V ≤ VPIN ≤ 3V 200 400 600 kΩ
下拉输入电流 10V ≤ VPIN ≤ 26V；VAUX = 26V 10 µA
过热保护
温度故障 – 正向阈值温度 165 °C
温度故障 – 负向阈值温度 145 °C
温度故障 – 阈值温度迟滞 20 °C
FLT
低电平输出电压 置为有效时 FLT 灌电流为 1mA 200 mV
关断状态灌电流 取消置位时 VFLT = VAUX 1 µA
AUX
VAUX,T+(UVLO) UVLO – 正向阈值电压 8.9 9.3 9.7 V
UVLO – 负向阈值电压 8.6 9.0 9.4 V
UVLO – 阈值电压迟滞 250 mV
静态电流 55 120 µA
工作电流 VIN = 0V 或 5V，VDS = 0V，fIN = 500kHz 2.2 mA