ZHCSNW8A October   2022  – December 2022 LMG2610

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 Revision History
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
    1. 7.1 GaN Power FET Switching Parameters
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1  GaN Power FET Switching Capability
      2. 8.3.2  Turn-On Slew-Rate Control
      3. 8.3.3  Current-Sense Emulation
      4. 8.3.4  Bootstrap Diode Function
      5. 8.3.5  Input Control Pins (EN, INL, INH)
      6. 8.3.6  INL - INH Interlock
      7. 8.3.7  AUX Supply Pin
        1. 8.3.7.1 AUX Power-On Reset
        2. 8.3.7.2 AUX Under-Voltage Lockout (UVLO)
      8. 8.3.8  BST Supply Pin
        1. 8.3.8.1 BST Power-On Reset
        2. 8.3.8.2 BST Under-Voltage Lockout (UVLO)
      9. 8.3.9  Over-Current Protection
      10. 8.3.10 Over-Temperature Protection
      11. 8.3.11 Fault Reporting
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Turn-On Slew-Rate Design
        2. 9.2.2.2 Current-Sense Design
    3. 9.3 Power Supply Recommendations
    4. 9.4 Layout
      1. 9.4.1 Layout Guidelines
        1. 9.4.1.1 Solder-Joint Stress Relief
        2. 9.4.1.2 Signal-Ground Connection
        3. 9.4.1.3 CS Pin Signal
      2. 9.4.2 Layout Example
  10. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 Documentation Support
      1. 10.1.1 Related Documentation
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 Trademarks
    5. 10.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 10.6 术语表
  11. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RRG|40
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥，适用于开关模式电源应用中 < 75W 的有源钳位反激式 (ACF) 转换器。LMG2610 通过在 9mm x 7mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，简化了设计、减少了元件数量并减小了布板空间。

非对称 GaN FET 电阻针对 ACF 工作条件进行了优化。可编程导通压摆率可提供 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到冷却 PCB 电源接地。

高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。

LMG2610 具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。

器件信息
器件型号 封装 (1) 封装尺寸（标称值）
LMG2610 QFN 9.00 mm x 7.00 mm

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