ZHCSQU8A May   2023  – December 2023 LM74703-Q1 , LM74704-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 输入电压
      2. 8.3.2 电荷泵
      3. 8.3.3 栅极驱动器
      4. 8.3.4 使能
      5. 8.3.5 FET 状态指示 (FETGOOD)
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 关断模式
      2. 8.4.2 导通模式
        1. 8.4.2.1 稳压导通模式
        2. 8.4.2.2 完全导通模式
        3. 8.4.2.3 反向电流保护模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 设计注意事项
        2. 9.2.2.2 MOSFET 选型
        3. 9.2.2.3 电荷泵 VCAP、输入和输出电容
        4. 9.2.2.4 适合 12V 电池保护应用的 TVS 二极管选型
        5. 9.2.2.5 适合 24V 电池保护应用的 TVS 二极管和 MOSFET 选型
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.1 概述

LM74703-Q1 和 LM74704-Q1 理想二极管控制器具有实现高效、快速反极性保护电路所需的所有功能。该器件可用于 ORing 配置，同时更大限度地减少外部元件的数量。这款易于使用的理想二极管控制器与外部 N 沟道 MOSFET 配合使用，可替代其他反极性方案，例如 P 沟道 MOSFET 或肖特基二极管。内部电荷泵了将外部 N 沟道 MOSFET 驱动至大约 12V 的最大栅源驱动电压。在 ANODE 和 CATHODE 引脚之间持续监测 MOSFET 两端的压降，并且根据需要调整 GATE 至 ANODE 引脚电压，以便将正向压降调节为 20mV。该闭环调节方案可在反向电流事件中支持 MOSFET 平稳关断，并提供零直流反向电流。当 ANODE 和 CATHODE 引脚上的电压降至 –11mV 以下时，检测到快速反向电流情况。此行为会将 GATE 引脚从内部连接到 ANODE 引脚，从而关闭外部 N 沟道 MOSFET，并使用体二极管阻断任何反向电流。使能引脚 EN 可用于将 LM74703-Q1 置于关断模式，从而禁用 N 沟道 MOSFET 并更大限度地减小静态电流。

LM74703-Q1 和 LM74704-Q1 通过 FETGOOD 引脚提供外部 FET 运行状况监控功能。该器件可在上电期间监控外部 FET 漏源短路或开路情况，并在诊断外部 FET 故障条件时将 FETGOOD 引脚拉至低电平。

对于汽车照明等汽车应用，面向外部的摄像头模块通常需要在高达几千兆赫 (GHz) 的频段中实现低传导和辐射发射。图 9-13LM74703-Q1 和 LM74704-Q1 在高频频段中可实现低发射，因此非常适合高频频段中的发射是一项关键考量因素的应用。