ZHCSI76E May   2008  – September 2015 LM7321 , LM7322

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
    1.     Device Images
      1.      输出摆幅与拉电流间的关系
      2.      大信号阶跃响应
  4. 修订历史记录
  5. 说明 (续)
  6. 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  7. 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 额定值
    3. 7.3 建议的工作状态
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 2.7V 电气特性
    6. 7.6 ±5V 电气特性
    7. 7.7 ±15V 电气特性
    8. 7.8 典型特性
  8. 详细 说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能框图
    3. 8.3 特性 说明
      1. 8.3.1 输出短路电流和功耗问题
      2. 8.3.2 估算输出电压摆幅
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 驱动容性负载
  9. 以下一些应用中
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 类似的高输出器件
      2. 9.1.2 其他高性能 SOT-23 放大器
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计流程
      3. 9.2.3 应用曲线
  10. 10电源建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 相关链接
    2. 12.2 社区资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 静电放电警告
    5. 12.5 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

输出短路电流和功耗问题

LM732xx 输出级根据设计可提供最大输出电流能力。即使瞬时输出对地短路并且在所有工作电压下都能容忍任意电源,但持续时间较长的短路状态可能会导致结温上升到超过器件的绝对最大额定值,特别是在电源电压较高的条件下。低于 6V 的电源电压时,可以无限期容忍输出短路状态。

运算放大器与负载连接时,该器件的功耗包括由于电源电流流入器件而产生的静态功耗以及由负载电流引起的功耗。负载功耗本身可包括一个平均值(由直流负载电流引起)和一个交流分量。如果存在输出电压偏移或输出交流平均电流不为零,或如果运算放大器工作在单电源应用中,而此情况下的输出保持在线性工作范围内的某处,那么直流负载电流将会流动起来。

因此,

Equation 1. PTOTAL = PQ + PDC + PAC

运算放大器静态功耗计算公式如下:

Equation 2. PQ = IS × VS

where

  • IS:电源电流
  • VS:总电源电压 (V+ − V)

直流负载功耗的计算公式如下:

Equation 3. PDC = IO × (Vr - Vo)

where

  • VO:平均输出电压
  • Vr:拉电流对应的是 V+,而灌电流对应的是 V

交流负载功耗的计算公式为 PAC = 参阅Table 1

Table 1 显示了运算放大器在标准正弦波、三角波和方波波形条件下的负载功耗的最大交流分量:

Table 1. 标准波形条件下输出级中的标准化交流功耗

PAC (W.Ω/V2)
正弦波 三角波 方波
50.7 × 10−3 46.9 × 10−3 62.5 × 10−3

表格条目标准化为 VS2/RL。要计算功耗的交流负载电流分量,只需将对应于输出波形的表格条目乘以系数 VS2/RL 即可。例如,在 ±12V 电源、600Ω 负载和三角波波形的条件下,输出级中的功耗计算如下:

Equation 4. PAC = (46.9 × 10−3) × (242/600) = 45.0mW

特定温度下允许的最大功耗是允许的最高管芯结温 (TJ(MAX))、环境温度 TA 和结至环境的封装热阻 θJA 的函数。

Equation 5. LM7321 LM7322 20205760.gif

对于 LM732xx,允许的最高结温为 150°C,在此温度下不允许有功耗。25℃ 下的功率容量计算如下:

对于 VSSOP 封装:

Equation 6. LM7321 LM7322 20205761.gif

对于 SOIC 封装:

Equation 7. LM7321 LM7322 20205762.gif

同样,125℃ 下的功率容量如下:

对于 VSSOP 封装:

Equation 8. LM7321 LM7322 20205763.gif

对于 SOIC 封装:

Equation 9. LM7321 LM7322 20205764.gif

Figure 58 显示了采用 VSSOP 和 SOIC 封装时的功率容量与温度间的关系。最大热性能线下面的区域是器件的工作区域。当器件在 PTOTAL 小于 PD(MAX) 的工作区域内工作时,器件结温将保持在 150°C 以下。如果环境温度与封装功率的交汇点高于最大热性能线,则结温将超过 150°C,应严格禁止这种情况。

LM7321 LM7322 20205765.gifFigure 58. 功率容量与温度间的关系

当需要高功率而又不能降低环境温度时,提供气流是降低热阻进而提高功率容量的有效方法。