ZHCSKN1B November   2019  – May 2021 DRV8899-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议的操作条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 分度器时序要求
    8. 6.8 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  步进电机驱动器电流额定值
        1. 7.3.1.1 峰值电流额定值
        2. 7.3.1.2 均方根电流额定值
        3. 7.3.1.3 满量程电流额定值
      2. 7.3.2  PWM 电机驱动器
      3. 7.3.3  微步进分度器
      4. 7.3.4  通过 MCU DAC 控制 VREF
      5. 7.3.5  电流调节
      6. 7.3.6  衰减模式
        1. 7.3.6.1 上升和下降电流阶段的慢速衰减
        2. 7.3.6.2 上升电流阶段为慢速衰减，下降电流阶段为混合衰减
        3. 7.3.6.3 模式 4：用于上升电流的慢速衰减，用于下降电流的快速衰减
        4. 7.3.6.4 上升和下降电流阶段的混合衰减
        5. 7.3.6.5 智能调优动态衰减
        6. 7.3.6.6 智能调优纹波控制
      7. 7.3.7  消隐时间
      8. 7.3.8  电荷泵
      9. 7.3.9  线性稳压器
      10. 7.3.10 逻辑电平引脚图
        1. 7.3.10.1 nFAULT 引脚
      11. 7.3.11 保护电路
        1. 7.3.11.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.11.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.11.3 过流保护 (OCP)
          1. 7.3.11.3.1 锁存关断 (OCP_MODE = 0b)
          2. 7.3.11.3.2 自动重试 (OCP_MODE = 1b)
        4. 7.3.11.4 开路负载检测 (OL)
        5. 7.3.11.5 热关断 (OTSD)
          1. 7.3.11.5.1 锁存关断 (OTSD_MODE = 0b)
          2. 7.3.11.5.2 自动恢复 (OTSD_MODE = 1b)
        6. 7.3.11.6 过热警告 (OTW)
        7. 7.3.11.7 低温警告 (UTW)
        8.       52
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 睡眠模式 (nSLEEP = 0)
      2. 7.4.2 禁用模式（nSLEEP = 1，DRVOFF = 1）
      3. 7.4.3 工作模式（nSLEEP = 1，DRVOFF = 0）
      4. 7.4.4 nSLEEP 复位脉冲
      5.      58
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 串行外设接口 (SPI) 通信
        1. 7.5.1.1 SPI 格式
        2. 7.5.1.2 用于单个从器件的 SPI
        3. 7.5.1.3 用于多个从器件的并行配置 SPI
        4. 7.5.1.4 用于多个从器件的菊花链配置 SPI
    6. 7.6 寄存器映射
  8. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 步进电机转速
        2. 8.2.2.2 电流调节
        3. 8.2.2.3 衰减模式
      3. 8.2.3 应用曲线
      4. 8.2.4 热应用
        1. 8.2.4.1 功率损耗
          1. 8.2.4.1.1 导通损耗
          2. 8.2.4.1.2 开关损耗
          3. 8.2.4.1.3 由于静态电流造成的功率损耗
          4. 8.2.4.1.4 总功率损耗
        2. 8.2.4.2 PCB 类型
        3. 8.2.4.3 HTSSOP 封装的热参数
        4. 8.2.4.4 VQFN 封装的热参数
        5. 8.2.4.5 器件结温估算
  9. 9 电源建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

在建议的工作条件下测得（除非另有说明）。TJ = 25°C 且 VVM = 13.5V 时，适用典型限值。 
参数测试条件最小值典型值最大值单位
电源电压（VM、DVDD、VSDO）
IVMVM 工作电源电流DRVOFF = 0、nSLEEP = 1，无输出57mA
IVMQVM 睡眠模式电源电流nSLEEP = 024μA
tSLEEP休眠时间nSLEEP = 0 至睡眠模式75μs
tRESETnSLEEP 复位脉冲nSLEEP 低电平至仅清除故障寄存器1835μs
tWAKE唤醒时间nSLEEP = 1 至输出转换0.60.9ms
tON开通时间VM > UVLO 至输出转换0.60.9ms
VDVDD内部稳压器电压无外部负载，6V < VVM < 45V4.555.5V
电荷泵（VCP、CPH、CPL）
VVCPVCP 工作电压VM + 5V
f(VCP)电荷泵开关频率VVM > UVLO；nSLEEP = 1400kHz
逻辑电平输入（STEP、DIR、nSLEEP、nSCS、SCLK、SDI、DRVOFF）
VIL输入逻辑低电平电压00.6V
VIH输入逻辑高电平电压1.55.5V
VHYS输入逻辑迟滞150mV
IIL1输入逻辑低电平电流VIN = 0V（nSCS、DRVOFF）812μA
IIL2输入逻辑低电平电流VIN = 0V-11μA
IIH1输入逻辑高电平电流VIN = DVDD（nSCS、DRVOFF）500nA
IIH2输入逻辑高电平电流VIN = 5V50μA
推挽式输出 (SDO)
RPD，SDO内部下拉电阻5mA 负载，以 GND 为基准4075Ω
RPU，SDO内部上拉电阻5mA 负载，以 VSDO 为基准3060Ω
ISDOSDO 泄漏电流SDO = VSDO 和 0V-11μA
控制输出 (nFAULT)
VOL输出逻辑低电平电压IO = 5mA0.4V
IOH输出逻辑高电平泄漏电流VVM = 13.5V-11μA
电机驱动器输出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
RDS(ONH)高侧 FET 导通电阻TJ = 25°C，IO = -1A600730mΩ
TJ = 125°C，IO = -1A9001100mΩ
TJ = 150°C，IO = -1A10401250mΩ
RDS(ONL)低侧 FET 导通电阻TJ = 25°C，IO = -1A600730mΩ
TJ = 125°C，IO = -1A9001100mΩ
TJ = 150°C，IO = -1A10401250mΩ
tSR输出压摆率SR = 00b，VM = 13.5V，IO = 0.5A10V/µs
SR = 01b，VM = 13.5V，IO = 0.5A35
SR = 10b，VM = 13.5V，IO = 0.5A50
SR = 11b，VM = 13.5V，IO = 0.5A105
PWM 电流控制 (VREF)
KV跨阻增益2.2V/A
tOFFPWM 关断时间TOFF = 00b7μs
TOFF = 01b16
TOFF = 10b24
TOFF = 11b32
ΔITRIP电流跳变精度IO = 1A，10% 至 30% 电流设置–1310%
IO = 1A，30% 至 100% 电流设置–88
IO,CHAOUT 和 BOUT 电流匹配IO = 1A-2.52.5%
保护电路
VUVLOVM UVLO 锁定VM 下降，UVLO 下降4.154.254.35V
VM 上升，UVLO 上升4.254.354.45
VUVLO,HYS欠压迟滞上升至下降阈值100mV
VRSTVM UVLO 复位VM 下降，器件复位，无SPI 通信3.9V
VCPUV电荷泵欠压VCP 下降；CPUV 报告VM + 2V
IOCP过流保护 流经任何 FET 的电流1.7A
tOCP过流抗尖峰时间VVM < 37V3μs
VVM ≥ 37 V0.5
tRETRY过流重试时间OCP_MODE = 1b4ms
tOL开路负载检测时间EN_OL = 1b200ms
IOL开路负载电流阈值30mA
TOTW过热警告内核温度 TJ135150165°C
TUTW欠温警告内核温度 TJ-25-105°C
TOTSD热关断内核温度 TJ150165180°C
THYS_OTSD热关断迟滞内核温度 TJ20°C
THYS_OTW过热警告迟滞内核温度 TJ20°C
THYS_UTW欠温警告迟滞内核温度 TJ10°C