ZHCSD19A September 2014 – October 2015 DLP9000
PRODUCTION DATA.
DMD 上的所有外部信号均不受静电放电的损害,经测试符合 JESD22-A114-B 静电放电 (ESD) 敏感度测试人体模型 (HBM)。
封装引脚类型 | 电压(最大值) | 单位 |
---|---|---|
输入 | 2000 | V |
输出 | 2000 | V |
VCC | 2000 | V |
VCCI | 2000 | V |
VOFFSET | 2000 | V |
VBIAS | 2000 | V |
VRESET | 2000 | V |
所有 MBRST | 2000 | V |
所有 CMOS 器件均需遵循适当的静电放电 (ESD) 处理程序。请参见图纸 2504641 DMD 处理规范,了解关于对 DMD 实施 ESD 保护以及保护 DMD 玻璃和电触点的预防措施。请参见图纸 2504640 DMD 玻璃清洁程序,掌握 DMD 玻璃的正确清洁方式,避免损坏玻璃表面上的抗反射涂层。
器件标记将包括可读信息和一个二维矩阵码。Figure 22 中显示了可读信息。二维矩阵码是一个字母数字字符串,其中包含 DMD 部件号、序列号的第 1 部分和序列号的第 2 部分。DMD 序列号(第 1 部分)的首字符为制造年份。DMD 序列号(第 1 部分)的第二个字符为制造月份。DMD 序列号(第 2 部分)的最后一个字符为偏置电压二进制字母。
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这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时,应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中,以防止 MOS 门极遭受静电损伤。
SLYZ022 — TI Glossary.
This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.