ZHCSF65A July 2016 – January 2017 CSD19538Q2
PRODUCTION DATA.
这款 100V、49mΩ、采用 2mm × 2mm SON 封装的 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
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TA=25°C | 典型值 | 单位 | ||
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VDS | 漏源电压 | 100 | V | |
Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 4.3 | nC | |
Qgd | 栅极电荷(栅极到漏极) | 0.8 | nC | |
RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 58 | mΩ |
VGS = 10V | 49 | |||
VGS(th) | 阈值电压 | 3.2 | V |
器件 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 运输 |
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CSD19538Q2 | 3000 | 7 英寸卷带 | SON 2.00mm x 2.00mm 塑料封装 |
卷带封装 |
CSD19538Q2T | 250 |
TA = 25°C | 值 | 单位 | |
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VDS | 漏源电压 | 100 | V |
VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
ID | 持续漏极电流(受封装限制) | 14.4 | A |
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得 | 13.1 | ||
持续漏极电流(1) | 4.6 | ||
IDM | 脉冲漏极电流(2) | 34.4 | A |
PD | 功率耗散(1) | 2.5 | W |
功率耗散,TC = 25°C | 20.2 | ||
TJ, Tstg |
工作结温, 储存温度 |
-55 至 150 | °C |
EAS | 雪崩能量,单脉冲 ID = 12.6A,L = 0.1mH,RG = 25Ω |
8 | mJ |