ZHCSIH5C june   2018  – may 2023 BQ25713 , BQ25713B

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 说明（续）
  7. 6 器件比较表
  8. 7 引脚配置和功能
  9. 8 规格
    1. 8.1 绝对最大额定值
    2. 8.2 ESD 等级
    3. 8.3 建议运行条件
    4. 8.4 热性能信息
    5. 8.5 电气特性
    6. 8.6 时序要求
    7. 8.7 典型特性
  10. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能模块图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1  从不带直流电源的电池上电
      2. 9.3.2  仅电池模式下的 Vmin 主动保护 (VAP)
      3. 9.3.3  从直流电源上电
        1. 9.3.3.1 CHRG_OK 指示器
        2. 9.3.3.2 输入电压和电流限制设置
        3. 9.3.3.3 电池电芯配置
        4. 9.3.3.4 器件高阻态状态
      4. 9.3.4  USB On-The-Go (OTG)
      5. 9.3.5  转换器运行
        1. 9.3.5.1 通过 IADPT 引脚检测电感
        2. 9.3.5.2 连续导通模式 (CCM)
        3. 9.3.5.3 脉冲频率调制 (PFM)
      6. 9.3.6  电流和功率监控器
        1. 9.3.6.1 高精度电流检测放大器（IADPT 和 IBAT）
        2. 9.3.6.2 高精度功率检测放大器 (PSYS)
      7. 9.3.7  输入源动态电源管理
      8. 9.3.8  两级适配器电流限制（峰值功率模式）
      9. 9.3.9  处理器热量指示
        1. 9.3.9.1 低功耗模式期间的 PROCHOT
        2. 9.3.9.2 PROCHOT 状态
      10. 9.3.10 器件保护
        1. 9.3.10.1 看门狗计时器
        2. 9.3.10.2 输入过压保护 (ACOV)
        3. 9.3.10.3 输入过流保护 (ACOC)
        4. 9.3.10.4 系统过压保护 (SYSOVP)
        5. 9.3.10.5 电池过压保护 (BATOVP)
        6. 9.3.10.6 电池短路
        7. 9.3.10.7 系统短路断续模式
        8. 9.3.10.8 热关断 (TSHUT)
    4. 9.4 器件功能模式
      1. 9.4.1 正向模式
        1. 9.4.1.1 采用窄 VDC 架构的系统电压调节
        2. 9.4.1.2 电池充电
      2. 9.4.2 USB On-The-Go
      3. 9.4.3 直通模式 (PTM)
    5. 9.5 编程
      1. 9.5.1 I2C 串行接口
        1. 9.5.1.1 数据有效性
        2. 9.5.1.2 START 和 STOP 条件
        3. 9.5.1.3 字节格式
        4. 9.5.1.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 9.5.1.5 从器件地址和数据方向位
        6. 9.5.1.6 单独读取和写入
        7. 9.5.1.7 多重读取和多重写入
        8. 9.5.1.8 写入 2 字节 I2C 命令
    6. 9.6 寄存器映射
      1. 9.6.1  设置充电和 PROCHOT 选项
        1. 9.6.1.1 ChargeOption0 寄存器（I2C 地址 = 01/00h）[复位 = E70Eh]
        2. 9.6.1.2 ChargeOption1 寄存器（I2C 地址 = 31/30h）[复位 = 0211h]
        3. 9.6.1.3 ChargeOption2 寄存器（I2C 地址 = 33/32h）[复位 = 02B7h]
        4. 9.6.1.4 ChargeOption3 寄存器（I2C 地址 = 35/34h）[复位 = 0030h]
        5. 9.6.1.5 ProchotOption0 寄存器（I2C 地址 = 37/36h）[复位 = 4A65h]
        6. 9.6.1.6 ProchotOption1 寄存器（I2C 地址 = 39/38h）[复位 = 81A0h]
        7. 9.6.1.7 ADCOption 寄存器（I2C 地址 = 3B/3Ah）[复位 = 2000h]
      2. 9.6.2  充电和 PROCHOT 状态
        1. 9.6.2.1 ChargerStatus 寄存器（I2C 地址 = 21/20h）[复位 = 0000h]
        2. 9.6.2.2 ProchotStatus 寄存器（I2C 地址 = 23/22h）[复位 = A800h]
      3. 9.6.3  ChargeCurrent 寄存器（I2C 地址 = 03/02h）[复位 = 0000h]
        1. 9.6.3.1 电池预充电电流钳位
      4. 9.6.4  MaxChargeVoltage 寄存器（I2C 地址 = 05/04h）[基于 CELL_BATPRESZ 引脚设置的复位值]
      5. 9.6.5  MinSystemVoltage 寄存器（I2C 地址 = 0D/0Ch）[基于 CELL_BATPRESZ 引脚设置复位值]
        1. 9.6.5.1 系统电压调节
      6. 9.6.6  用于动态电源管理的输入电流和输入电压寄存器
        1. 9.6.6.1 输入电流寄存器
          1. 9.6.6.1.1 具有 10mΩ 检测电阻的 IIN_HOST 寄存器（I2C 地址 = 0F/0Eh）[复位 = 4100h]
          2. 9.6.6.1.2 具有 10mΩ 检测电阻的 IIN_DPM 寄存器（I2C 地址 = 25/24h）[复位 = 4100h]
          3. 9.6.6.1.3 InputVoltage 寄存器（I2C 地址 = 0B/0Ah）[复位 = VBUS-1.28V]
      7. 9.6.7  OTGVoltage 寄存器（I2C 地址 = 07/06h）[复位 = 0000h]
      8. 9.6.8  OTGCurrent 寄存器（I2C 地址 = 09/08h）[复位 = 0000h]
      9. 9.6.9  ADCVBUS/PSYS 寄存器（I2C 地址 = 27/26h）
      10. 9.6.10 ADCIBAT 寄存器（I2C 地址 = 29/28h）
      11. 9.6.11 ADCIINCMPIN 寄存器（I2C 地址 = 2B/2Ah）
      12. 9.6.12 ADCVSYSVBAT 寄存器（I2C 地址 = 2D/2Ch）
      13. 9.6.13 ID 寄存器
        1. 9.6.13.1 ManufactureID 寄存器（I2C 地址 = 2Eh）[复位 = 0040h]
        2. 9.6.13.2 器件 ID (DeviceAddress) 寄存器（I2C 地址 = 2Fh）[复位 = 0h]
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 设计要求
      2. 10.2.2 详细设计过程
        1. 10.2.2.1 ACP-ACN 输入滤波器
        2. 10.2.2.2 电感器选型
        3. 10.2.2.3 输入电容器
        4. 10.2.2.4 输出电容器
        5. 10.2.2.5 功率 MOSFET 选择
      3. 10.2.3 应用曲线
  12. 11电源相关建议
  13. 12布局
    1. 12.1 布局指南
    2. 12.2 布局示例
      1. 12.2.1 布局示例参考顶视图
      2. 12.2.2 内层布局和布线示例
  14. 13器件和文档支持
    1. 13.1 器件支持
      1. 13.1.1 第三方产品免责声明
    2. 13.2 文档支持
      1. 13.2.1 相关文档
    3. 13.3 接收文档更新通知
    4. 13.4 支持资源
    5. 13.5 商标
    6. 13.6 静电放电警告
    7. 13.7 术语表
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

10.2.2.3 输入电容器

输入电容器应具有足够的额定纹波电流以吸收输入开关纹波电流。在降压模式下，当占空比为 0.5 时，最坏情况下的 RMS 纹波电流是充电电流的一半（加上有任何系统负载时的系统电流）。如果转换器不以 50% 的占空比运行，则最坏情况下的电容器 RMS 电流发生在占空比最接近 50% 的位置，可通过方程式 5 估算得出：

方程式 5. GUID-5D8A225B-9109-44CD-A437-FCC52ABCEE3C-low.gif

X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷电容是输入去耦电容的首选，应放置在 RAC 电流检测的前面，并尽可能靠近功率级半桥 MOSFET。功率级半桥之前 RAC 后的电容应限制为 10nF + 1nF，请参见图 10-2。这是因为，如果 RAC 后的电容过大，可能会滤除 RAC 电流检测纹波信息。电容器的额定电压必须高于正常输入电压电平，19V 至 20V 输入电压下最好使用 25V 额定电压或更高的电容器。表 10-1 给出了最小输入有效电容建议。

陶瓷电容器 (MLCC) 显示了直流偏置效应。在陶瓷电容器上施加直流偏置电压时，这种效应可减小有效电容，就像是在充电器的输入电容器上一样。这种影响可能会导致显著的电容压降，尤其是对于高输入电压和小型电容器封装。请参阅制造商的数据表，了解施加直流偏置电压时的降额性能。为了在运行点获得所需的有效电容值，也许有必要选择一个更高的额定电压或者标称电容值。考虑到 25V 0603 封装 MLCC 电容在 19V 至 20V 输入电压下降额，建议的实际电容配置也可在表 10-1 中找到。钽电容器 (POSCAP) 可避免直流偏置效应和温度变化影响，推荐用于功率更高的 90W 至 130W 应用。

表 10-1 最小输入电容要求
输入电容器与总输入功率的关系 65W 90W 130W
最低有效输入电容 4μF 6μF 13μF
最小实际输入电容器配置 4 个 10μF (0603 25V MLCC) 6 个 10μF (0603 25V MLCC) 3 个 10μF (0603 25V MLCC)

1 个 10μF（25V 至 35V POSCAP）