ZHCSN84G January 2021 – April 2024 AM6411 , AM6412 , AM6421 , AM6422 , AM6441 , AM6442
PRODUCTION DATA
表 6-46、表 6-47、图 6-36、表 6-48、图 6-37、表 6-49 和图 6-38 展示了 FSI 的时序条件、要求和开关特性。
参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|
输入条件 | ||||
SRI | 输入压摆率 | 0.8 | 4 | V/ns |
输出条件 | ||||
CL | 输出负载电容 | 1 | 7 | pF |
编号 | 最小值 | 最大值 | 单位 | ||
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FSIR1 | tc(RX_CLK) | 周期时间,FSI_RXn_CLK | 20 | ns | |
FSIR2 | tw(RX_CLK) | 脉冲宽度,FSI_RXn_CLK 低电平或 FSI_RXn_CLK 高电平 | 0.5P - 1(1) | 0.5P + 1(1) | ns |
FSIR3 | tsu(RX_D-RX_CLK) | 建立时间,在 FSI_RXn_CLK 之前 FSI_RXn_D[1:0] 有效 | 3 | ns | |
FSIR4 | th(RX_CLK-RX_D) | 保持时间,在 FSI_RXn_CLK 之后 FSI_RXn_D[1:0] 有效 | 2.5 | ns |
编号 | 参数 | 模式 | 最小值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
FSIT1 | tc(TX_CLK) | 周期时间,FSI_TXn_CLK | FSI 模式 | 20 | ns | |
FSIT2 | tw(TX_CLK) | 脉冲宽度,FSI_TXn_CLK 低电平或 FSI_TXn_CLK 高电平 | FSI 模式 | 0.5p + 1(1) | 0.5P - 1(1) | ns |
FSIT3 | td(TX_CLK-TX_D) | 延迟时间,FSI_TXN_CLK 高电平或 FSI_TXN_CLK 低电平后 FSI_TXn_D[1:0] 有效 | FSI 模式 | 0.25P - 2(1) | 0.25P + 2.5(1) | ns |
编号 | 参数 | 模式 | 最小值 | 最大值 | 单位 | |
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FSIT4 | tc(TX_CLK) | 周期时间,FSI_TXn_CLK | SPI 模式 | 20 | ns | |
FSIT5 | tw(TX_CLK) | 脉冲宽度,FSI_TXn_CLK 低电平或 FSI_TXn_CLK 高电平 | SPI 模式 | 0.5P + 1(1) | 0.5P - 1(1) | ns |
FSIT6 | td(TX_CLKH-TX_D0) | 延迟时间,FSI_TXn_CLK 高电平到 FSI_TXn_D0 有效 | SPI 模式 | 3 | ns | |
FSIT7 | td(TX_D1-TX_CLK) | 延迟时间,FSI_TXn_D1 低电平到 FSI_TXn_CLK 高电平 | SPI 模式 | P - 3(1) | ns | |
FSIT8 | td(TX_CLK-TX_D1) | 延迟时间,FSI_TXn_CLK 低电平到 FSI_TXn_D1 高电平 | SPI 模式 | P - 2(1) | ns |
有关更多信息,请参阅器件 TRM 的外设 一章中的快速串行接口 一节。