ZHCSTX4 November   2023 AM625SIP

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
    1. 3.1 功能方框图
  5. 4 器件比较
    1. 4.1 相关产品
  6. 5 终端配置和功能
    1. 5.1 引脚图
    2. 5.2 引脚属性和信号说明
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 运行性能点
    5. 6.5 热阻特性
      1. 6.5.1 AMK 封装的热阻特性
    6. 6.6 时序和开关特性
      1. 6.6.1 电源要求
        1. 6.6.1.1 电源排序
  8. 7 应用、实现和布局
    1. 7.1 外设和接口的相关设计信息
      1. 7.1.1 集成 LPDDR4 SDRAM 信息
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件命名规则
      1. 8.1.1 标准封装编号法
      2. 8.1.2 器件命名约定
    2. 8.2 工具与软件
    3. 8.3 文档支持
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 封装信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • AMK|425
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3 建议运行条件

注： 建议运行条件 表中定义的值来自集成 LPDDR4 SDRAM 数据表。有关与集成 LPDDR4 SDRAM 相关的其他建议运行条件详细信息，请参阅 Integrated Silicon Solution (ISSI®) IS43/46LQ16256B 数据表
在工作结温范围内测得（除非另有说明）
电源名称 说明 最小值(1) 标称值 最大值(1) 单位
VDDS_MEM_1P1(2) SDRAM IO 电源 1.06 1.10 1.17 V
VDDS_MEM_1P8 SDRAM 内核电源 1.70 1.80 1.95 V
TJ 工作结温范围 工业 -40 95 °C
(1) 在器件正常运行期间，器件焊球上的电压在任何时间段绝不能降至 MIN 电压以下或升至 MAX 电压以上。
(2) VDDS_MEM_1P1 必须与 VDDS_DDR 使用相同的电源。