ZHCSBC2F October   2012  – December 2014 ADS42JB49 , ADS42JB69

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. Device Comparison Table
  6. Pin Configuration and Functions
  7. Specifications
    1. 7.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2  ESD Ratings
    3. 7.3  Recommended Operating Conditions
    4. 7.4  Thermal Information
    5. 7.5  Electrical Characteristics: ADS42JB69 (16-Bit)
    6. 7.6  Electrical Characteristics: ADS42JB49 (14-Bit)
    7. 7.7  Electrical Characteristics: General
    8. 7.8  Digital Characteristics
    9. 7.9  Timing Characteristics
    10. 7.10 Typical Characteristics: ADS42JB69
    11. 7.11 Typical Characteristics: ADS42JB49
    12. 7.12 Typical Characteristics: Common
    13. 7.13 Typical Characteristics: Contour
      1. 7.13.1 Spurious-Free Dynamic Range (SFDR): General
      2. 7.13.2 Signal-to-Noise Ratio (SNR): ADS42JB69
      3. 7.13.3 Signal-to-Noise Ratio (SNR): ADS42JB49
  8. Parameter Measurement Information
  9. Detailed Description
    1. 9.1 Overview
    2. 9.2 Functional Block Diagram
    3. 9.3 Feature Description
      1. 9.3.1 Digital Gain
      2. 9.3.2 Input Clock Divider
      3. 9.3.3 Overrange Indication
      4. 9.3.4 Pin Controls
    4. 9.4 Device Functional Modes
      1. 9.4.1 JESD204B Interface
        1. 9.4.1.1 JESD204B Initial Lane Alignment (ILA)
        2. 9.4.1.2 JESD204B Test Patterns
        3. 9.4.1.3 JESD204B Frame Assembly
        4. 9.4.1.4 JESD Link Configuration
          1. 9.4.1.4.1 Configuration for 2-Lane (20x) SERDES Mode
          2. 9.4.1.4.2 Configuration for 4-Lane (10x) SERDES Mode
        5. 9.4.1.5 CML Outputs
    5. 9.5 Programming
      1. 9.5.1 Device Configuration
      2. 9.5.2 Details of Serial Interface
        1. 9.5.2.1 Register Initialization
        2. 9.5.2.2 Serial Register Write
        3. 9.5.2.3 Serial Register Readout
    6. 9.6 Register Maps
      1. 9.6.1 Description of Serial Interface Registers
        1. 9.6.1.1  Register 6 (offset = 06h) [reset = 00h]
        2. 9.6.1.2  Register 7 (offset = 07h) [reset = 00h]
        3. 9.6.1.3  Register 8 (offset = 08h) [reset = 00h]
        4. 9.6.1.4  Register B (offset = 0Bh) [reset = 00h]
        5. 9.6.1.5  Register C (offset = 0Ch) [reset = 00h]
        6. 9.6.1.6  Register D (offset = 0Dh) [reset = 00h]
        7. 9.6.1.7  Register E (offset = 0Eh) [reset = 00h]
        8. 9.6.1.8  Register F (offset = 0Fh) [reset = 00h]
        9. 9.6.1.9  Register 10 (offset = 10h) [reset = 00h]
        10. 9.6.1.10 Register 11 (offset = 11h) [reset = 00h]
        11. 9.6.1.11 Register 12 (offset = 12h) [reset = 00h]
        12. 9.6.1.12 Register 13 (offset = 13h) [reset = 00h]
        13. 9.6.1.13 Register 1F (offset = 1Fh) [reset = FFh]
        14. 9.6.1.14 Register 26 (offset = 26h) [reset = 00h]
        15. 9.6.1.15 Register 27 (offset = 27h) [reset = 00h]
        16. 9.6.1.16 Register 2B (offset = 2Bh) [reset = 00h]
        17. 9.6.1.17 Register 2C (offset = 2Ch) [reset = 00h]
        18. 9.6.1.18 Register 2D (offset = 2Dh) [reset = 00h]
        19. 9.6.1.19 Register 30 (offset = 30h) [reset = 40h]
        20. 9.6.1.20 Register 36 (offset = 36h) [reset = 00h]
        21. 9.6.1.21 Register 37 (offset = 37h) [reset = 00h]
        22. 9.6.1.22 Register 38 (offset = 38h) [reset = 00h]
  10. 10Application and Implementation
    1. 10.1 Application Information
    2. 10.2 Typical Application
      1. 10.2.1 Design Requirements
      2. 10.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 10.2.2.1 Analog Input
          1. 10.2.2.1.1 Drive Circuit Requirements
          2. 10.2.2.1.2 Driving Circuit
        2. 10.2.2.2 Clock Input
          1. 10.2.2.2.1 SNR and Clock Jitter
      3. 10.2.3 Application Curves
  11. 11Power Supply Recommendations
  12. 12Layout
    1. 12.1 Layout Guidelines
    2. 12.2 Layout Example
  13. 13器件和文档支持
    1. 13.1 器件支持
      1. 13.1.1 器件命名规则
        1. 13.1.1.1 技术参数定义
    2. 13.2 文档支持
      1. 13.2.1 相关文档 
    3. 13.3 相关链接
    4. 13.4 商标
    5. 13.5 静电放电警告
    6. 13.6 术语表
  14. 14机械封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

13 器件和文档支持

13.1 器件支持

13.1.1 器件命名规则

13.1.1.1 技术参数定义

    交流电源抑制比 (AC PSRR):

    AC PSRR 测量的是 ADC 对电源电压变化的抑制能力。 如果 ΔVSUP 表示电源电压的变化,ΔVOUT 表示 ADC 输出编码的相应变化(相对输入而言),则:

    Equation 5. q_psrr_las635.gif
    模拟带宽:

    基频功率相对低频值下降 3dB 时的模拟输入频率。

    孔径延迟:

    从输入采样时钟的上升沿到实际发生采样之间的延迟时间。 该延迟在各通道中会有所不同。 最大差值被定义为孔径延迟差异(通道间)。

    孔径不确定性(抖动):

    采样间的孔径延迟差异。

    时钟脉冲宽度和占空比:

    时钟信号的占空比为时钟信号保持逻辑高电平的时间(时钟脉冲宽度)与时钟信号周期的比值。 占空比通常以百分比的形式表示。 理想差分正弦波时钟的占空比为 50%。

    共模抑制比 (CMRR):

    CMRR 测量的是 ADC 对模拟输入共模变化的抑制能力。 如果 ΔVCM_IN 表示输入引脚的共模电压变化,ΔVOUT 表示 ADC 输出编码的相应变化(相对输入而言),则:

    Equation 6. q_cmrr_las635.gif
    串扰(仅限多通道 ADC):

    串扰测量的是目标通道与其相邻通道之间的内部信号耦合。 串扰分两种情况:一种是与紧邻通道(近端通道)之间的耦合,另一种是与跨封装通道(远端通道)之间的耦合。 通常采用对邻近通道施加满量程信号的方式来测量串扰。 串扰是指耦合信号功率(在目标通道的输出端测得)与邻近通道输入端所施加信号功率的比值。 串扰通常以 dBc 为单位进行表示。

    直流电源抑制比 (DC PSRR):

    DC PSSR 是偏移误差变化量与模拟电源电压变化量的比值。 DC PSRR 通常以 mV/V 为单位进行表示。

    微分非线性 (DNL):

    理想 ADC 对模拟输入值进行编码转换时以 1 LSB 为步长。 DNL 是指任意单个步长与这一理想值之间的偏差(以 LSB 为计量单位)。

    有效位数 (ENOB):

    ENOB 测量的是转换器相对于理论限值(基于量化噪声)的性能。

    Equation 7. q_enob_las635.gif
    增益误差:

    增益误差是指 ADC 实际输入满量程范围与其理想值的偏差。 增益误差以理想输入满量程范围的百分比形式表示。 增益误差包括两部分:基准不精确所导致的误差 (EGREF) 和通道所导致的误差 (EGCHAN)。 这两种误差分别定义为 EGREF 和 EGCHAN

    对于一阶近似,总增益误差 ETOTAL ~ EGREF + EGCHAN

    例如,如果 ETOTAL = ±0.5%,则满量程输入范围为 (1 – 0.5 / 100) x FSideal 至 (1 + 0.5 / 100) × FSideal

    积分非线性 (INL):

    INL 是 ADC 传递函数与其最小二乘法曲线拟合所确定的最佳拟合曲线的偏差(以 LSB 为计量单位)。

    最大转换速率:

    执行指定操作时所采用的最大采样率。 除非另外注明,否则所有参数测试均以该采样率执行。

    最小转换速率:

    ADC 正常工作时的最小采样率。

    偏移误差:

    偏移误差是指 ADC 实际平均空闲通道输出编码与理想平均空闲通道输出编码之间的差值(以 LSB 数表示)。 该数量通常转换为毫伏。

    信噪比和失真 (SINAD):

    SINAD 是指基频功率 (PS) 与所有其他频谱成分(包括噪声 (PN) 和失真 (PD),但不包括直流)功率的比值。

    Equation 8. q_snr_las635.gif
    Equation 9. q_sinad_las635.gif

    当基频的绝对功率用作基准时,SINAD 以 dBc(相对于载波的分贝数)为单位;当基频功率被外推至转换器满量程范围时,SINAD 以 dBFS(相对于满量程的分贝数)为单位。

    信噪比 (SNR):

    SNR 是指基频功率 (PS) 与噪底功率 (PN) 的比值,不包括直流功率和前 9 个谐波的功率。

    当基频的绝对功率用作基准时,SNR 以 dBc(相对于载波的分贝数)为单位;当基频功率被外推至转换器满量程范围时,SNR 以 dBFS(相对于满量程的分贝数)为单位。

    无杂散动态范围 (SFDR):

    基频功率与最高的其他频谱成分(毛刺或谐波)功率的比值。 SFDR 通常以 dBc 为单位(相对于载波的分贝数)。

    温度漂移:

    温度漂移系数(相对于增益误差和偏移误差)指定参数从 TMIN 到 TMAX 每摄氏度的变化量。 温度漂移的计算方法是用参数在 TMIN 至 TMAX 范围内的最大变化量除以 TMAX – TMIN 的值。

    总谐波失真 (THD):

    THD 是指基频功率 (PS) 与前 9 个谐波功率 (PD) 的比值。

    Equation 10. q_thd_las635.gif

    THD 通常以 dBc 为单位(相对于载波的分贝数)。

    双频互调失真 (IMD3):

    IMD3 是指基频功率(f1 和 f2 频率处)与最差频谱成分(2f1 – f2 或 2f2 – f1 频率处)功率的比值。 当基频的绝对功率用作基准时,IMD3 以 dBc(相对于载波的分贝数)为单位;当基频功率被外推至转换器满量程范围时,IMD3 以 dBFS(相对于满量程的分贝数)为单位。

    电压过载恢复:

    使过载的模拟输入端的误差恢复至 1% 以下所需的时钟数。 该技术参数的测试方法是分别施加具有 6dB 正过载和负过载的正弦波信号。 然后记录下过载后前几个采样(相对于期望值)的偏差。

13.2 文档支持

13.2.1 相关文档 

《LMK04828 数据表》,SNAS605

13.3 相关链接

以下表格列出了快速访问链接。 范围包括技术文档、支持与社区资源、工具和软件,并且可以快速访问样片或购买链接。

Table 40. 相关链接

器件 产品文件夹 样片与购买 技术文档 工具与软件 支持与社区
ADS42JB49 请单击此处 请单击此处 请单击此处 请单击此处 请单击此处
ADS42JB69 请单击此处 请单击此处 请单击此处 请单击此处 请单击此处

13.4 商标

All other trademarks are the property of their respective owners.

13.5 静电放电警告

esds-image

ESD 可能会损坏该集成电路。德州仪器 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理措施和安装程序 , 可能会损坏集成电路。

ESD 的损坏小至导致微小的性能降级 , 大至整个器件故障。 精密的集成电路可能更容易受到损坏 , 这是因为非常细微的参数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。

13.6 术语表

SLYZ022TI 术语表

这份术语表列出并解释术语、首字母缩略词和定义。