视频系列
GaN HEMT 器件的研究现状、特点及应用
氮化镓 (GaN) 是一款宽带隙半导体,与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比,它可以实现更高的功率密度和效率。这次直播将会介绍氮化镓 HEMT 器件的发展历程,特点以及应用实例等。
GaN HEMT介绍
|
讲解人
资源
/content/texas-instruments/zh-cn/video/series/gan-hemt-cn
View series