采用 TI GaN 技术提升光伏逆变器设计
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2024 年 10 月 31 日
在视频中，我们将从第三代半导体氮化镓（GaN）技术切入，探讨GaN 如何在光伏逆变器中助力实现更高的功率密度和效率，并缩小整体设计尺寸。借助 TI 新近推出的100V 集成式 GaN 功率级器件——具有栅极驱动器的 GaN 半桥LMG2100R044和具有栅极驱动器的单个 GaN FET LMG3100R017，可实现超小的开关环路，超高的效率及更快的导通和关断速度。此外，我们还将从光伏逆变器系统设计出发， 重点介绍微型逆变器和组串式逆变器两款参考设计，以满足其双向化趋势并适应BESS 的需求。