“揭秘直流电动汽车快速充电应用中的隔离式栅极驱动器”在线研讨会

为您的碳化硅 (SiC) FET 选择合适的隔离式栅极驱动器需要考虑的因素比您想象的更多。

高效的直流充电站在满足新电动汽车的快速充电要求方面发挥着重要作用。SiC FET 和 GaN FET 极大地支持这些效率目标，但在为 SiC FET 选择合适的隔离式栅极驱动器时，需要一种新的思维方式。

在本节课程中，我们讨论了：

• 驱动 SiC FET 的隔离式栅极驱动器的主要考虑因素：栅极驱动强度、传播延迟等，同时重点介绍 OCP/DESAT、米勒钳位、软关断或 2 级关断等集成保护功能。 
• 更优栅极驱动电压的重要性，这有助于防止击穿事件并和/或提高转换器的整体效率。

                                                                                                                                                                                                                     .

我们的主讲人 Johannes Konert 是德州仪器 (TI) 现场应用工程师，担任德州仪器 (TI) 的首席现场应用工程师。在获得电力工程学位（1992 年毕业于 FH Bielefeld）后，他担任 SMPS 设计师长达 13 年之久。他于 2006 年 4 月以电源管理 FAE 身份加入 TI，现在是 EMEA 地区销售和应用组织的 Tech-ladder (MGTS) 的成员。

这是否会变得过于复杂？如果您想参加在线研讨会，但需要更多背景信息，建议您观看我们的短视频“直流电动汽车充电器的电源拓扑概述”