用于碳化硅 MOSFET 的栅极驱动器和短路保护方法：为什么以及如何实现？
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2025 年 2 月 5 日
碳化硅 MOSFET 已被认可为高压应用中极具前景的理想选择，能够实现更高效、更紧凑的系统。与 IGBT 相比，SiC MOSFET 具有更严格的短路保护要求。此培训将介绍不同的短路情况故障类型、短路保护方法、SiC MOSFET 的特性和短路行为，以及 SiC MOSFET 短路保护的栅极驱动器要求。