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电源管理

进一步推动电源发展

您的电源管理合作伙伴

作为您的电源管理合作伙伴,我们矢志不渝地致力于突破电源极限:开发新的工艺、封装和电路设计技术,从而为您的应用提供性能出色的器件。我们致力于与您一起解决关键电源设计挑战 -提高功率密度延长电池寿命减少电磁干扰 (EMI)增强电源和信号完整性以及提高系统安全性。我们的使命是让世界各地的工程师都能实现更多创新。观看此视频,了解 TI 如何进一步推动电源发展。

产品系列

线性/LDO 稳压器

适用于敏感模拟系统且具有低压降电压的线性稳压器

监控器和电压基准

广泛的电压监控器产品系列以及高精度串联和并联基准

多通道 IC 和 PMIC

可通过更少元件降低系统复杂性的可扩展至完全集成的 PMIC

新型电源产品

了解我们的以下特色新产品。如需了解更多全新的电源产品,请参阅我们的新产品页面。

UCC12050

具有集成变压器和超低 EMI 的 500mW 隔离式偏置电源

TPSM53604

业界超小的 36V、4A 降压直流/直流电源

TPS546D24A

具有高达 160A 堆叠能力的高效 40A 降压转换器

电源设计工具和仿真

使用我们全面的电源设计工具执行快速计算和仿真,帮助您分析和了解设计性能。

使用我们的端到端电源设计工具缩短开发时间。

使用新的 PSpice® for TI 设计和仿真工具快速创建电路仿真,从而为您的设计选择合适的器件。

通过深入实时的电压和电流计算加快您的电源设计。

选择正确的分立式负载点稳压器和 PMIC,为您的处理器或 FPGA(由 TI、Xilinx、Intel、NXP 等厂家提供)供电。

快速估算 PCB 上组件的结温。

TI 电源

电源发展趋势

在我们的日常工作中,电源管理对实现电子元件的进一步集成至关重要。数十年来,TI 致力于开发新的工艺、封装和电路设计先进技术,从而为您的设计提供出色的电源器件。

无论是提高功率密度、延长电池寿命、减少电磁干扰、保持电源和信号完整性,还是在高电压下维持安全性,我们都会随时帮您解决电源管理方面的主要难题

功率密度图标
低 EMI 图标
隔离图标

功率密度
在更小的空间内实现更大的功率,从而以更低的系统成本增强系统功能

低 EMI
通过减少辐射发射,降低系统成本并快速满足 EMI 标准

隔离
借助超高的工作电压和可靠性提高安全性

低 IQ 图标
低噪声图标

低静态电流 (IQ)
在不影响系统性能的同时,延长电池寿命和货架期

低噪声和高精度
增强电源和信号完整性,以提高系统级保护和精度

功率密度:在更小的空间内实现更大的功率,从而以更低的系统成本增强系统功能

随着功率需求的增加,电路板面积和厚度日益成为限制因素。电源设计人员必须向其应用中集成更多的电路,才能实现产品的差异化,并提高效率和增强热性能。通过采用 TI 的先进工艺、封装和电路设计技术,目前能以更小的外形尺寸实现更高的功率等级。

TI 功率密度技术的主要优势包括:

  • 产热更少:借助我们先进的器件和氮化镓技术,实现出色的器件开关性能。
  • 热性能更好:利用先进的冷却技术(包括增强型 HotRod™ QFN 封装、电源晶圆芯片级封装和顶部散热),帮助封装体散热。
  • 效率更高:借助多级转换器拓扑和先进的功率级栅极驱动器,使用较小的无源器件实现较高的开关频率,同时又不影响效率。
  • 更小的系统占用空间:利用高级的多芯片模块技术,节省布板空间、简化电路板布局并降低寄生效应的影响。

了解提高功率密度的利弊权衡和所需技术

在电源设计中,空间是有限的,因此工程师始终面临着一个挑战,即在更小的空间内实现更大的功率。提高功率密度的需求显而易见,但现在有哪些因素限制了设计人员提高功率密度?在此白皮书中,我们将深入分析提高功率密度的限制因素,并提供可帮您克服这些因素的技术示例。

 

了解功率密度的基础技术

观看此培训系列(包含 5 个部分),其中我们通过介绍高功率密度解决方案的四个重要方面,以及支持这些特定要求的相关技术和产品,概述了如何实现更高的功率密度。

低静态电流 (IQ):在不影响系统性能的同时,延长电池寿命和货架期

在电池供电的系统中,为了在空载或轻负载条件下实现高效率,电源解决方案需要在保持超低供电电流的同时,对输出进行严格调节。借助 TI 的超低 IQ技术和产品组合,您可以在下一个设计中实现低功耗,并更大限度地延长电池运行时间。

TI 低 IQ技术的主要优势包括:

  • 低功耗、常开型电源:超低漏电工艺技术和新型控制拓扑,可延长电池运行时间。
  • 快速响应时间:快速唤醒比较器和零 IQ反馈控制,可在不影响低功耗性能的情况下实现快速动态响应能力。
  • 更小的外形尺寸:电阻器和电容器的面积缩减技术,有助于集成到空间受限的应用中,同时不影响静态功率。

IQ:定义、常见误解及其使用方式(针对低功耗直流/直流转换器)

静态电流 (IQ) 是低功耗设计中经常被误解的参数之一。此模拟设计期刊 (ADJ) 文章介绍了 IQ的定义、常见误解并提供了避免出现常见 IQ测量误差的设计注意事项。

 

使用低 IQ降压转换器、LDO 和电池管理器件进行设计时,

静态电流是每个电源设计人员都需要掌握的关键设计概念之一。查看此培训系列,了解 IQ与降压转换器、低压降 (LDO) 稳压器和电池管理器件的关系。

低 EMI:通过减少辐射发射,降低系统成本并快速满足 EMI 标准

电磁干扰 (EMI) 是电子系统中越来越重要的一个关键因素,在汽车和工业应用等新应用中尤其如此。低 EMI 设计可为您显著缩短开发周期,同时还可减小电路板面积并降低解决方案成本。TI 提供多种功能和技术来降低所有相关频段的 EMI。

TI 低 EMI 技术的主要优势包括:

  • 减小滤波器尺寸和降低成本:利用先进的扩频技术可降低产生的 EMI 所带来的影响。
  • 减少设计时间并降低设计复杂性:覆晶封装、电容器集成和先进的栅极驱动器技术可从根本上降低源极产生的噪声。

电源的传导 EMI 规格概述

EMI 设计的第一步是了解您需要满足的规格。此白皮书详细介绍了传导 EMI 的行业标准,例如国际无线电干扰特别委员会 (CISPR) 25 和欧洲标准 (EN) 55022。要了解辐射 EMI 的信息,请下载概述

 

设计低 EMI 电源

EMI 设计可能充满挑战性,但我们仍随时为您提供帮助。此综合培训系列为您设计符合传导和辐射 EMI 要求的高效电源提供了一种更简单的方法。

低噪声和高精度:增强电源和信号完整性,以提高系统级保护和精度

要实现精密信号链,低噪声 LDO 稳压器和开关转换器、精密的监控和可靠的保护是必不可少的。对于电动汽车电池监测、测试和测量以及医疗等应用,TI 使用专用的电源处理技术以及先进的电路和测试技术,可提高精度、更大限度地减少失真,并降低线性和开关电源转换器的噪声。

TI 低噪声和高精度技术的主要优势包括:

  • 提高准确性和精度:借助基本的低噪声工艺技术、先进的集成电路设计和低应力封装,减少集成电路误差源。
  • 降低系统噪声:利用高电源抑制比 (PSRR) 低压降稳压器 (LDO)、集成滤波和遥感功能来管理嘈杂环境。

LDO 噪声揭秘

您是否认为噪声和电源抑制比 (PSRR) 是一回事?阅读此应用手册,了解噪声和 PSRR 之间的差异并探索降低设计中 LDO 噪声的方法。

 

LDO 基础知识:PSRR

观看此培训视频,了解电源抑制比 (PSRR) 的细微差别、如何确定应用中的 PSRR 以及影响 PSRR 值的参数和因素。

隔离:借助超高的工作电压和可靠性提高安全性

隔离是指在危险的高压下提供可靠的保护。电隔离以电气方式分隔两个域,在不危及人类安全的情况下允许电源或信号通过隔离栅,同时还可以防止出现接地电位差并提高抗噪能力。TI 的隔离技术产品系列(包括电容式 SiO2绝缘隔栅和集成变压器),可超出德国汽车工业协会 (VDA)、加拿大标准协会 (CSA) 和美国保险商实验室 (UL) 标准,并且性能丝毫不受影响。要了解更多有关隔离的信息,请查看所有隔离解决方案

TI 隔离技术的主要优势包括:

  • 提高系统稳健性和可靠性:TI 的高电压隔离式产品系列可实现低延迟、出色的共模瞬态抗扰度和稳健的性能。
  • 减小外形尺寸和轻松符合 EMI 标准:TI 的隔离技术有助于降低尺寸、改善热性能和 EMI 性能。

实现高电压质量和可靠性

想要详细了解我们用于信令且基于电容器的增强型隔离?此白皮书通过大量的器件表征和测试数据,说明该工艺和相关器件达到或超出相应规格。

 

高电压隔离技术的工作原理

TI 的电容隔离技术可实现超高的隔离等级和超长寿命的可靠性。跟随我们的一位高电压技术专家,了解电容隔离技术的性能优势。