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P 沟道 MOSFET 晶体管

业界领先的功率密度、超小占用空间和易于驱动的低栅极电荷

采用高效、低功耗元件进行设计有助于延长各种电子设备的电池寿命。TI 的 P 沟道 MOSFET 采用超小型封装，可在外形小巧的封装中提供高功率密度，并实现出色的电压和电流控制，从而延长电池寿命。

≤20V

≤20V

采用低电压 P 沟道 MOSFET 进行设计。在 ≤20V 的器件中进行选择。

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FemtoFET™ MOSFET

FemtoFET™ MOSFET

非常适合手机、平板电脑以及任何需要节省布板空间和延长电池寿命的其他应用。

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特色 P 沟道 MOSFET

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