P 沟道 MOSFET

业界出色的功率密度、超小占用空间和易于驱动的低栅极电荷

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采用高效、低功耗元件进行设计有助于延长各种电子设备的电池寿命。我们的 P 沟道 MOSFET 采用超小型封装,可在外形小巧的封装中提供高功率密度,并实现出色的电压和电流控制,从而延长电池寿命。

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≤20V 最大 BVDSS

采用低电压 P 沟道 MOSFET 和精选 ≤20V 器件进行设计。

FemtoFET™ MOSFET

使用 FemtoFET™ P 沟道 MOSFET 进行设计非常适合手机、平板电脑和任何其他需要节省布板空间和延长电池寿命的应用。

特色 P 沟道 MOSFET

技术资源

设计指南
设计指南
Design Summary FemtoFET SMT (Rev. D)
该文档介绍了在将这些器件连接到印刷电路板时需要考虑的表面贴装技术 (SMT) 问题。
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技术文章
技术文章
如何选择 MOSFET – 负载开关
了解将 MOSFET 用作负载开关时的主要注意事项。 
技术文章
技术文章
您的 MOSFET 包含哪种类型的 ESD 保护?
了解各种 ESD 保护间的差异,从而防止发生不必要的 MOSFET 故障;并了解针对不同 ESD 结构的主要设计注意事项。

设计和开发资源

Evaluation board
FemtoFET P 沟道评估模块

这款 FemtoFET P 沟道 EVM 包含六个子卡,每个子卡包含一个不同的 FemtoFET P 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。六个 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范围,而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

Calculation tool
适用于负载开关应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
仿真模型
CSD23280F3 未加密 PSpice 模型
CSD23280F3 未加密 PSpice 模型 

与P 沟道 MOSFET相关的参考设计

使用我们的参考设计选择工具,找到最适合您应用和参数的设计。