采用高效、低功耗元件进行设计有助于延长各种电子设备的电池寿命。我们的 P 沟道 MOSFET 采用超小型封装，可在外形小巧的封装中提供高功率密度，并实现出色的电压和电流控制，从而延长电池寿命。
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Evaluation board
FemtoFET P 沟道评估模块
这款 FemtoFET P 沟道 EVM 包含六个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET P 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。六个 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。