业界领先的功率密度、超小占用空间和易于驱动的低栅极电荷
采用低电压 P 沟道 MOSFET 进行设计。在 ≤20V 的器件中进行选择。
非常适合手机、平板电脑以及任何需要节省布板空间和延长电池寿命的其他应用。
特色 P 沟道 MOSFET
8V P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET
20V P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
NexFET™ MOSFET 视频
